二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

 利用半导体PN结器件一维模拟程序mPND1D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量,并对结果作了初步分析。     

电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

 利用时域有限差分（FDTD）方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为,及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。     

延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定

分析了延迟击穿二极管（DBD,delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数（长度、面积、掺杂浓度、激励源等）,模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明: 上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可。     

二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

利用半导体PN结器件一维模拟程序mPND1D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量,并对结果作了初步分析。     

硅二极管对高功率微波的非线性响应计算

 考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素,利用自得研制的半导体器件模拟程序mPND1D, 对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算,结果显示出硅二极管对徽波信号响应的非线性。     

延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定

 分析了延迟击穿二极管（DBD,delayed breakdown diode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数（长度、面积、掺杂浓度、激励源等）,模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明: 上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可。     

半导体器件烧毁的物理机理

叙述了半导体器件烧毁的物理机理,目前的研究进展及作者正在开展的工作。     

PIN二极管的高功率微波响应

 利用自行编制的半导体器件模拟程序mPND1D(采用时域有限差分方法，求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组)，对PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算，比较了不同条件下的计算结果，并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明:随着激励源幅值的升高，器件截止频率增大；随着脉冲长度减小，器件截止频率降低；随着器件恒定温度值升高，截止频率下降。     

硅二极管对高功率微波的非线性响应计算

考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素,利用自得研制的半导体器件模拟程序mPND1D, 对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算,结果显示出硅二极管对徽波信号响应的非线性。     

电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

利用时域有限差分（FDTD）方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为,及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。