紫外臭氧处理增强溶液法MoO3薄膜的空穴注入能力

空穴注入层对有机发光二极管的性能有重要的影响,尤其是当器件中的空穴传输材料的最高占据分子轨道能级较深的时候。近年来有许多关于新型的溶液法空穴注入材料的研究。在本文中,我们对溶液法MoO₃薄膜使用了三种不同的处理方法来研究其对空穴注入性能的影响,即：在空气中150 ℃退火;在空气中150 ℃退火再紫外臭氧处理(UVO) 15 min;只进行UVO处理15 min。结果发现当MoO₃薄膜在空气中150 ℃退火后,器件的电流最小,空穴注入能力最差。而当MoO₃薄膜经过UVO处理后,器件的电流显著增大,工作电压大幅下降,器件性能接近于蒸镀的MoO₃薄膜的器件。更惊喜的是,这种改善在MoO₃薄膜仅作UVO处理后也可获得。经定量计算发现MoO₃薄膜经过UVO处理后的空穴注入效率能提高到约0.1。XPS分析表明通过UVO处理后,MoO₃薄膜中Mo⁵⁺成分减少并且薄膜表面的富氧吸附物被有效地消除,使得其化学计量基本与蒸镀的MoO₃薄膜相同。基于这种经UVO处理的溶液法MoO₃作为空穴注入层,器件的最大电流效率可达到48.3 cd∙A⁻¹。     

PPV衍生物的激发态动力学特性研究

利用共振飞秒光学克尔效应研究了C10－PPV溶液的非线性光学响应。实验结果表明，在共振激发条件下，C10－PPV挑学克尔效应信号表现为快速上升和随后的驰豫过程，其驰豫过程由两部分组成，一个200fs的快过程和一个400ps的慢过程。通过比较C10－PPV和掺杂C60后的C10－PPV荧光光谱，400ps的慢过程可归属为聚合物链内单重态激子在不同共轭段间的迁移过程。     

烷基取代聚对亚苯基亚乙烯基衍生物的合成和性质研究

设计了一种合成烷基取代聚对苯撑乙烯 (PPV)衍生物的新方法 ,合成了一种新的烷基取代PPV 聚(2 甲基 5 十二烷基对苯撑乙烯 ) ,并用NMR、IR、GPC、元素分析等方法对化合物进行了表征与鉴定 .同时 ,测试了化合物的热学性质、紫外可见吸收和光致荧光性质 .发现化合物的玻璃化温度和第一分解温度随着共轭程度的增加而升高 ;化合物的THF稀溶液的光致荧光相对量子产率随共轭程度的降低而增加     

基于嵌段共聚物的发蓝绿光聚合物发光电池的制备和表征

基于一种嵌段共聚物DMSN-TEO制备出了发蓝绿光的聚合物发光电池（LEC）,并对其光谱性质、电致发光特性和界面性质进行了表征。LEC结构为ITO/DMSN-TEO PEO(LiCF3SO3)/Al，起亮电压为2.5V，最大电致发光效率为4.2cd/A，最大流明效率为4.7lm/w,响应时间小于5s。交流阻抗研究这种LEC的界面性质表明，其发光机理符合电化学掺杂模型。     

空间接近二酰胺的多米诺类型反应及其在有机合成中的应用

发现了空间接近的双温勒伯(Weinreb)酰胺与格氏试剂在温和条件下的单取代反应, 该反应普适性强、 操作简便且产率高, 反应存在动力学控制和热力学控制2种产物. 机理分析表明, 该反应发生了分子内亲核取代反应, 并生成了稳定的单取代中间体, 从而避免了双取代反应的发生. 通过该反应制备了一系列4-取代酞嗪酮类化合物, 合成了基于酞嗪基团的纯红光三环金属化铱(Ⅲ)配合物, 采用该配合物制备的有机电致发光器件表现出高效率[最大外部量子效率(EQE_max)=10.3%]和低浓度猝灭性能.