稀土元素对磁损耗型CoFeZrRE合金微波特性的作用

采用机械合金化工艺(MA)制备了在微波频段具有较高磁损耗的CoFeZrRE材料。在工艺条件对所合成材料性能影响的研究基础上，主要研究了材料组分中掺杂稀土元素对合成材料微波磁导率的影响。结果表明，稀土元素的掺入能有效调整材料的微波磁导率及其频响特性；加入适量的Tb，有利于获得高的微波磁导率和大的磁损耗。还用数值计算模拟方法得到了2～18GHz该材料的反射率曲线，结果表明该材料有可能应用于吸波材料的设计和制备中。     

氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性

针对氢化非晶硅薄膜晶体管(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT)的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/f~γ(f为频率,γ≈0.92)的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型(?N-?μ模型),在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×10~(18)和1.26×10~(18)cm~(-3)·eV~(-1),特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.