热电子等离子体的耗散漂移不稳定性

在热电子等离子体中,存在密度梯度驱动的低频耗散性漂移波,本文导出了包括等离子体电阻性和粘滞性的漂移波的色散关系。热电子环能降低不稳定性的增长率,减少等离子体的反常输运损失。漂移波被热电子环完全稳定的条件是β_h>4ξ/(1+2ξ)。实验中测量了漂移波的激发区域和振荡特性,观察了热电子环的稳定作用实。验结果与理论分析相符。 关键词：     

电子回旋共振(ECR)等离子体的研究和应用

近年来,在低气压、低温等离子体研究和应用中的一个重要发展是微波电子回旋共振放电。由于它是一种无极放电,能够在低气压下产生高密度、高电离度、大体积均匀的等离子体,所以在等离子体物理研究,表面处理和薄膜制备等应用中,成为一个十分引人注目的新领域。本文综述了ECR放电的基本物理过程和实验研究概况,介绍了ECR等离子体在表面处理、镀膜和离子源等方面应用的最新结果。     

热电子等离子体的低频交换不稳定性

本文用磁流体理论,导出了包含导电端板“线结”效应的热电子等离子体低频交换模的色散关系,分析了热电子环的稳定作用,求出了稳定性判据。“线结”效应能大大降低交换模的增长率。取热电子密度为零,就得到简单流体等离子体的结果。     

等离子体流注入实验

本文叙述简单磁镜中,等离子体流注入的实验结果。被磁镜场捕获的等离子体驱动了m=1的交换不稳定性,等离子体发生破裂的临界β值约5％,导电壁的线结效应对交换模有稳定作用。     

微波电子回旋共振等离子体阴极电子束的实验研究

介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果，该系统包括微波ECR 等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸，实验研究了微波ECR 等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明：微波输入功率越高、引出电压越高，引出电子束流强越大；工作气压对电子束流强的影响较复杂，随气压增加呈现出先降低后升高的特点；在7×10⁻⁴Pa 的极低气压下电子束流强可达75mA，引出电压9kV；能量利用率可达0.6；调整聚焦线圈的驱动电流，电子束的束斑直径从20mm 减小到13mm，电子束流强未有明显变化。     

用可控硅作开关和稳压的电容储能电源

以电容器储能放电作脉冲电源是人们在各类物埋实验装置中经常采用的方法,因为它具有简单可靠,脉冲上升时间快等优点．在脉冲强流离子源的实验中,用电弧放电形成高密度、大体积、均匀、稳定的等离子体,需要大功率脉冲电源．该电源的参数范围是：输出电流几十－几百安培;输出电压一百－二百伏;脉冲宽度几十－几百毫秒．这样参数的脉冲电源通常在实验室中采用电容器储能放电的方案［１］．但是,电容器储能电源运行?...     

核聚变研究的新兴途径──紧凑环

目前看来,核聚变研究最有希望的途径仍然是托卡马克（Ｔｏｋａｍａｋ）．这是因为托卡马克具有环形约束的磁场形态,做成聚变反应堆,能量倍增系数高．但是,托卡马克也存在着一些严重的缺点,例如值低,还不能实现稳态运行以及结构复杂庞大,不易接近等．目前从事托卡马克研究的人们,正在努力克服这些缺点,并以极大的兴趣从事其它途径的研究．开端系统例如磁镜等,具有值高,容易实现稳态运行,结构简单等优点．但是也存在?...     

磁镜中晃荡电子形成热垒的动力学计算

对电子回旋共振加热（ECRH）产生晃荡电子形成串级磁镜热垒的物理过程进行了Fokker-Planck动力学计算，计算表明：（1）在一定条件下，晃荡电子等离子体位形形成，其密度比n_eh（Z_r）/n_eh（O）=2.15，且形成了ΔΦ=16.5V的静电势阱；（2）静电势阱的建立分为迅速建立、逐渐减少和稳定平衡三个阶段，这是ECRH、碰撞散射和俘获离子共同作用的结果 关键词：     

STUDY ON THE OPTICAL PROPERTIES AND HYDROGEN CONTENT OF THE SILICON NITRIDE THIN FILM

The Si₃N₄ thin films have been manufactured by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition technology on the KBr and (111) monocrystal Si sub-strates, The infrared optical properties of the Si₃N₄ film have been studied by analysing its IR spectrum. The results show that the Si₃N₄ film can be used as an antireflexion and an-tireflectiug film of Si surface, The H content of Si₃N₄ thin film has been estimated from the infrared absorption area. It is obtained that the H content of the Si₃N₄ film deposited on the KBr substrate is lower than that deposited on Si substrate, and it derceases with increasing deposition temperature. The Raman spectra of the Si₃N₄ film deposited at 360℃ has also been measured.     

用微波ECR等离子体溅射法在蓝宝石(0112)晶面上生长ZnO薄膜的研究

蓝宝石上外延生长ZnO薄膜在表面波和声光器件中有重要的应用．用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法在蓝宝石(0112)晶面上外延生长了ZnO薄膜,膜无色透明,并且表面光滑,基片温度为380℃,为探索沉积工艺参数对薄膜结构的影响,用XRD对不同基片温度和沉积速率生长的ZnO薄膜进行了研究．