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金刚石薄膜的气相合成及应用研究近年来取得了飞速发展,气相合成金刚石薄膜的CVD方法已达20几种,最大的沉积速度已达到每小时930μm.硼掺杂金刚石薄膜的空穴载流子浓度已达到10~(18)cm~(-3),电阻率已达到10~(-2)Ω·cm,在硅衬底表面实现了金刚石薄膜的选择性生长.金刚石薄膜热沉使半导体锁相列阵激光器的输出功率提高了10%左右,金刚石薄膜作为刀具涂层使刀具的寿命得到提高,金刚石热敏电阻、发光管、场效应管等器件原型电子器件在实验上已获得成功.  相似文献   
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