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采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200 μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管. 研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响. 利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
关键词:
ZnO纳米线
场效应管
I-V特性')" href="#">I-V特性 相似文献
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