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1.
用调制光谱的方法对分子束外延（MBE）生长在GaAs（100）衬底上的一组超薄层本征型AlxGa1-xAs层进行了原位的研究．对厚度在35nm以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而对厚度在100nm的样品只观察到了一个跃迁峰．观察到的各峰随厚度的改变而变化．用台阶势模型很好地解释了实验结果 关键词：  相似文献   
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