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1.
由Q-Nd:YAG脉冲激光(波长1.06μm,脉宽10 ns)烧蚀Al靶产生等离子体.观测了在低气压和直流电场条件下的Al等离子体发射光谱.研究了激光功率密度和直流电场对各谱线强度的影响,分析了谱线半高全宽与外加电压,等离子体电子温度与激光能量的变化规律.结果表明,直流电场对铝原子谱线强度有显著的增强,铝原子谱线的半高全宽与直流电场的外加电压基本上呈线性关系. 相似文献
2.
3.
Ag(TCNQ)准一维微米结构的制备及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
利用溶液化学反应法制备了准一维结构的金属有机配合物Ag(TCNQ). X射线衍射(XRD)表明,所制备的Ag(TCNQ)为晶态结构;扫描电子显微镜(SEM)的观察证明,Ag(TCNQ)为准一维的微米管或线;Raman 测试结果表明,单根的Ag(TCNQ)形成时,Ag原子与TCNQ分子之间发生了电荷转移.对样品的制备工艺,即 Ag膜厚度和浸入溶液的反应时间对生成Ag(TCNQ)晶体形貌的影响进行了研究.结果表明,Ag膜越薄,生长出的晶体越稀疏;Ag膜与TCNQ乙腈溶液的反应时间影响其形貌的变化.反应历经三个阶段,晶体形成和长大阶段、反应完全阶段及溶解阶段. 相似文献
4.
5.
6.
在亲核试剂(ED)如吡啶(Py)、N,N-二甲基乙酰胺(DMA)或三乙胺(TEA)存在下,由引发剂H2O和共引发剂TiCl4组成引发体系,在二氯甲烷/正己烷混合溶剂中进行异丁烯(IB)正离子聚合,考察了溶剂极性、聚合温度及异丁烯浓度对聚合反应转化率、产物分子量和分子量分布的影响.试验结果表明,随聚合体系溶剂极性增大,聚合速率加快,相近转化率时聚合产物的分子量分布变窄.随着聚合温度降低,聚合速率明显提高,聚合物的分子量增加,活化能为负值,活性链端发生链转移或链终止等副反应的几率减小,当聚合温度为-60℃时,可以抑制活性链端的β-H脱除反应和链转移副反应,并得到大分子链末端全部为叔氯基团的聚异丁烯(PIB).当[IB]0≤2.5mol/L时,随[IB]0增加,聚合转化率有所增加,聚合产物的GPC谱图均为单峰分布,分子量增大,而分子量分布基本保持不变,对于加入Py的聚合体系,分子量分布指数在1.33~1.45范围内,对于加入TEA的聚合体系,分子量分布指数在1.47~1.60范围内,并求出在加入Py和TEA的聚合体系中活性链向单体的链转移常数CM分别为5.5×10-4和6.6×10-4. 相似文献
7.
本文研究了各种Ti(Ⅳ)化合物:Ti(OR)_4(R=Et,~iPr,~nBu),TiCl_4,CP_2TiC_2,Cp_2Ti(OPh)_2对Meerwein-Ponndorf-Verley-Oppenauer反应的催化活性。试验表明Ti(O~iPr)_4对还原反应显示出极好的催化活性,还原苯甲醛,对氯苯甲醛,对硝基苯甲醛,对甲氧基苯甲醛,糠醛,巴豆醛的产率可达80%以上。Ti(OEt)_4对氧化反应有良好的催化活性,对正辛醇,2-辛醇,苯甲醇,环已醇,肉桂醇的氧化产率在69%以上。同时还考察了各种参数对反应的影响。 相似文献
8.
牛顿环实验数据处理及实验方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对用牛顿环测定透镜曲率半径实验的三种数据处理方法(逐差法、加权平均法、最小二乘法)进行了讨论,并提出改进意见。牛顿环实验数据处理中逐差法是现行教材中较通用的方法。透镜凸面曲率半径计算公式为 相似文献
9.
The solubilitices of benzene, toluene and diphenyl in mixed solvents of t-butyl alcohol (TBA) and water at 283.15, 288.15, 293.15 and 298.15 K have been determined by spectrophotometry. The mole fraction of TBA [x (TBA)] in the mixed solvent are 0.000, 0.010, 0.020, 0.030, 0.040, 0.045, 0.050, 0.060, 0.080 and 0.100, respectively. The standard Gibbs energies of solution of benzene, toluene and diphenyl in the mixed solvent have also been calculated based on the solubility data. The hydrophobic interactions (HI) for the pairs of benzene-benzene, methane-benzene and methane-methane in the mixed solvent were calculated and discussed. 相似文献
10.
采用化学气相沉积法和气相掺杂法, 分别制备了La 或N掺杂的SiC 纳米线. 利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散谱(EDS)分析和X射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征. 以合成产物作为阴极, 对其场发射性能进行测试, 结果表明: SiC 纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺杂的2.3、6.6 V·μm-1分别降低为1.2、5.2 V·μm-1(La 掺杂)和0.9、0.4 V·μm-1(N 掺杂). 采用Material Studio 软件中的Castep 模块建立(3×3×2)晶格结构模型, 对未掺杂、La 或N掺杂SiC 的能带结构和态密度进行计算, 结果显示: La或N掺杂后, 在费米能级附近产生了新的La 5d或N 2p掺杂能级, 导致禁带宽度(带隙)变窄, 使得价带电子更容易跨越禁带进入导带, 从而改善SiC纳米线的场发射性能. 相似文献