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1.
丁长庚  杨金龙  李群祥 《物理学报》2001,50(10):1907-1913
基于密度泛函理论,优化了钒团簇Vn(n=2—9,13,15,19,27,51)的几何结构,通过研究键长、配位数、平均结合能、电离势、电子亲和能、总的态密度和平均磁矩随着尺寸的变化规律,从理论上揭示了n≤9的钒团簇电子结构具有分立特征的分子行为和很强的尺寸效应,13≤n≤19是从分子向体相态结构变化的过渡区域;V27和V51的态密度已趋向于体相的三峰结构,说明它们已接近大块钒的性质 关键词: 钒团簇 密度泛涵理论 电子结构  相似文献   
2.
利用第一性原理的离散变分局域密度泛函方法,采用团簇模型(Si34H36-W11)来模拟STM操纵Si(111)-7×7表面顶角吸附原子的过程.通过分析在进行原子操纵过程中体系的能量与电子云密度分布来研究针尖和外电场的作用.结果表明,当针尖与样品间距离较近时,利用两者间有较强的相互作用,能有效地降低脱出能的能垒高度.外电场对体系脱出能的影响与其大小及极性有关,当样品上所加正偏压增强时,脱出能曲线高度单调下降,而外电场极性为负时,反而稍有增高.仅考虑针尖和样品之间的静态电子相互作用及静电场的作用,尚不能使被操纵原子脱离样品表面.最后讨论了在Si(111)-7×7表面上进行原子操纵的其他机理.  相似文献   
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