锰(Ⅱ)存在下用二安替比林苯乙烯甲烷分光光度法测定水中微量铬(Ⅵ)

文献[1]报道了二安替比林苯乙烯甲烷测定部分变价元素有较高灵敏度。章道昆指出有锰(Ⅱ)存在时钒(Ⅴ)、铈(Ⅳ)灵敏度显著增加。本研究同样发现有锰(Ⅱ)存在时该试剂使铬(Ⅵ)的摩尔吸光系数由2.5×10~4l·mol~(-1)·cm~(-1)增至1.5×10~5l·mol~(-1)·cm~(-1),为微量铬(Ⅵ)的测定提供了迄今为止文献尚未报道的新方法。     

γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究

使用原子层淀积方法得到了7.8 nm厚度的HfO₂薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO₂/Si MOS电容结构,测量得到了HfO₂基MOS结构在⁶⁰Co γ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO₂薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射线光电子能谱方法测量得到了HfO₂薄膜在辐照前后的化学结构变化。研究发现,使用原子层淀积方法制备的HfO₂薄膜表面质量较高;γ射线辐照在HfO₂栅介质中产生了数量级为10¹² cm^-2的负的氧化层陷阱电荷;HfO₂薄膜符合化学计量比,介质内部主要的缺陷为氧空位且随着辐照剂量的增加而增加,说明辐照在介质中引入了陷阱从而导致MOS结构性能的退化。