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1.
GSM原意为移动通信特别小组(GroupSpecialMobile)。该组织成立于1982年,旨在制定一个欧洲移动通信系统的特性规范,以便使整个欧洲采用一个统一的移动通信制式,让移动通信用户在欧洲各国的移动通信成为可能。今天,所谓的GSM,就是泛欧数字移动通信系统(GiobalsystemforMobileCommunication),它有效地克服了模拟制式移动通信系统存在的频谱利用率低、容量小、制式不统一、联网漫游困难、不能提供数据等非话业务以及话音失真、保密性差等缺点。GSM的发展,弥补了有线电话的严重不足,解决了人们在任何地点、任何时间的通信联络。 相似文献
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基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。 相似文献
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Laves相贮氢合金是目前贮氢材料研究与开发的热点之一。本文概述了Laves相合金的结构、贮氢机理、贮氢性能以及它在Ni/MH电池应用中的最新进展。 相似文献
9.
分类讨论是中学数学中一种重要的数学思想,也是近几年高考考查的重点内容.同学们解决这类问题最困惑的就是不知如何划分范围,本文结合几个典型例题介绍一种划分范围的简捷方法——零点法. 相似文献
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Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献