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1.
2.
A highly selective and efficient oxidative carbocyclization/borylation of enallenols catalyzed by palladium immobilized on amino-functionalized siliceous mesocellular foam (Pd-AmP-MCF) was developed for diastereoselective cyclobutenol synthesis. The heterogeneous palladium catalyst can be recovered and recycled without any observed loss of activity or selectivity. The high diastereoselectivity of the reaction is proposed to originate from a directing effect of the enallenol hydroxyl group. Optically pure cyclobutenol synthesis was achieved by the heterogeneous strategy by using chiral enallenol obtained from kinetic resolution.  相似文献   
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4.
We report on the first observation and studies of a weak delocalizing logarithmic temperature dependence of the conductivity, which causes the conductivity of the 2D metal to increase as T decreases down to 16 mK. The prefactor of the logarithmic dependence is found to decrease gradually with density, to vanish at a critical density n c , 2∼2×1012 cm−2, and then to have the opposite sign at n>n c ,2. The second critical density sets the upper limit on the existence region of the 2D metal, whereas the conductivity at the critical point, G c ,2∼120e 2/h, sets an upper (low-temperature) limit on its conductivity. Pis’ma Zh. éksp. Teor. Fiz. 68, No. 6, 497–501 (25 September 1998) Published in English in the original Russian journal. Edited by Steve Torstveit.  相似文献   
5.
6.
A crude hydrate 6 and a crystalline hemiacetal 7 of glyoxylamide 4 were prepared from crotonamide 5 (Scheme 2). Particularly hemiacetal 7 , but also 6 and the ‘dimer’ 8 (obtained from 7 ) may serve as homochiral auxiliaries. The structure of 8 was determined by X-ray analysis. By arenesulfonyl halides, tryptimines 12–14 of 4 were diastereoselectively transformed into spirotricycles 15–17 and 19 .  相似文献   
7.
In this work we investigate the diffusion and precipitation of supersaturated substitutional carbon in 200-nm-thick SiGeC layers buried under a silicon cap layer of 40 nm. The samples were annealed in either inert (N2) or oxidizing (O2) ambient at 850 °C for times ranging from 2 to 10 h. The silicon self-interstitial (I) flux coming from the surface under oxidation enhances the C diffusion with respect to the N2-annealed samples. In the early stages of the oxidation process, the loss of C from the SiGeC layer by diffusion across the layer/cap interface dominates. This phenomenon saturates after an initial period (2–4 h), which depends on the C concentration. This saturation is due to the formation and growth of C-containing precipitates that are promoted by the I injection and act as a sink for mobile C atoms. The influence of carbon concentration on the competition between precipitation and diffusion is discussed. Received: 19 October 2001 / Accepted: 19 December 2001 / Published online: 20 March 2002 / Published online: 20 March 2002  相似文献   
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Ohne Zusammenfassung  相似文献   
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