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1.
用热聚法固定指示剂的光纤氧气传感器研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用热聚法将甲叉双丙烯酰胺(MBBA)聚合并共价交联在硅烷化的玻璃微珠上 ,同时将指示剂Ru(Ⅱ)-邻啡咯啉配合物物理包埋于聚合物中,研制了一种基于 荧光猝灭原理的光纤氧气传感器,采用NaHSO_3-O_2-MnSO_4体系引发MBBA水溶液热 聚合后应,通过确定NaHSO_3,MnSO_4,MBBA和Ru(phen)_3Cl_2的最佳反应浓度以及 玻璃微珠的尺寸,优化了聚合反应条件,改善了指示剂的固定效果,制备了性能较 好的传感器探头,该传感器的检测下限为5×10~(-6)(V/V),响应时间为10s该传感 器连续工作50min,重复性标准偏差为±1%。 相似文献
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3.
采用中频感应熔炼法制备了Sm( Co0.79 Fe0.09 Cuo.085 Zr0.032) 7.95合金,采用传统烧结工艺,在1200 ~1240℃烧结1h,1165 ~1190℃固溶处理3h,快速风冷淬火后在840 ℃保温12h,以0.4 ·min-1的冷速冷却至420℃,保温10h,最后随炉冷却.磁体经过加工后,采用不同的磁性测试手段对磁体进行测试.结果表明,磁体的剩磁随烧结温度的升高而增大,矫顽力最好的工艺为1230℃烧结1h,然后在1180℃固溶3h.将此工艺制备的磁体采用中国计量科学院NIM-500C超高温永磁测量仪测试,磁体在773 K时的最大磁能积为10.94 MGOe,高于已经报道的同Z值的2∶17型永磁体.磁体的磁滞回线通过振动样品磁强计( VSM)测得,室温下Br=10.5 kGs,Hcj=30.21 kOe,(BH)max=25.60MGOe; 773 K时磁体Br=7.45 kGs,Hcj=6.02 kOe,(BH) max=9.85 MGOe.剩磁温度系数α=-0.0624%·℃-1,矫顽力温度系数β=-0.169%·℃-1. 相似文献
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5.
以过硫酸钾(KPS)为引发剂, 采用双丙酮丙烯酰胺(DAA)对海藻酸钠(SA)进行改性, 制备了海藻酸钠-聚双丙酮丙烯酰胺两亲性共聚物(SA-PDAA). 将SA-PDAA与聚乙烯醇(PVA)复配, 并进行静电纺丝, 制得SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维. 通过红外光谱、 差示扫描量热和荧光光谱表征了SA-PDAA的结构和性能, 通过黏度仪、 表面张力仪和电导率仪测试了SA-PDAA纺丝液的物理性能, 用扫描电子显微镜表征了SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的形貌, 考察了SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的释药性能. 结果表明, DAA接枝到SA分子链上, SA-PDAA的临界聚集浓度为0.072 g/L, SA-PDAA具有良好的两亲性, SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维具有均一的形貌. 改性后的SA可以有效地减缓药物释放速度, 提高SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的缓释性能. 相似文献
6.
<正>Electrocatalysis is itself a very fundamental discipline in electrochemistry historically. It is now the fundamental of various modern technologies that would support a sustainable and green society. Therefore, “fundamental” seems a lasting label of electrocatalysis. Then, what is fundamental electrocatalysis? This is the question we asked ourselves when conceiving this special issue. 相似文献
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Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related. 相似文献
10.