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1.
使用结构简单的单温炉设备,通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法,在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示:两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管;生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径,长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌;生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向,碳纳米管直径为15—80nm,长度在几百微米,展示
关键词:
碳纳米管
热解法
三步升温工艺 相似文献
2.
用RF溅射制备厚度为200 nm的Fe-N薄膜在250℃, 12000 A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成α′+α″相时,4πMS可达2.4 T, Hc<80 A/m, 2~10 MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10 Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. Fe-N系薄膜中α′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的α′相有明显的差别,得到了薄膜中α′相的a,c与Cα′N之间的线性关系式. 相似文献
3.
采用燃烧合成和放电等离子烧结方法制备锂掺杂ZnO陶瓷靶材. 利用XRD, SEM, TEM和激光粒径分析等手段分析合成粉体与陶瓷的显微结构. 结果表明, 锂掺杂ZnO粉体与陶瓷均为纤锌矿结构, 无其他相存在; 粉体的粒径分布为0.18-1.7 μm, 烧结体致密度较高, 晶粒尺寸为1-3 μm. 此外, 分析锂元素在烧结过程中引起掺杂缺陷变化, 锂元素由ZnO晶格的间隙位置转移为替代锌晶格位置, 实现受主掺杂, 为实现p型ZnO薄膜的制备奠定基础. 相似文献
4.
近年来,在纳米尺度的研究中应用到很多表面的技术和概念.然而,以往针对表面的研究中对象为单晶块体样品,这些研究结果将不再适用纳米材料.为了研究表面对纳米体系弹性响应的影响,选取较为简单的铜纳米薄片为研究对象,构建了铜(111)面和(001)面的薄片模型,使用第一性原理方法计算了铜纳米薄片的双轴泊松比,分析了纳米薄片与体材料的差异,研究不同厚度纳米薄片中表面对内层原子的影响.计算结果显示,表面原子层的双轴泊松比大于内部原子层,并且其收敛速度和数值大小均和薄片取向有关.根据双轴泊松比随厚度的变化特性,可以得到不同取向的纳米薄片中表面对弹性响应的临界厚度. 相似文献
5.
Magnetic multilayers[Co(1.5 nm)/Pd(x nm)]40 grown by rf sputtering were studied by X-ray diffraction,vibrating sample magnetometer,torque magnetomet er and magnetoresistance measurements.The dependences of the interfacial roughne ss and the structure perfectness of Co/Pd multilayers on the spacer Pd layer thi ckness have been revealed from X-ray diffraction data.An oscillatory variation of saturation magnetization versus the thickness of the Pd spacer was observed.A similar oscillatory behavior in the dependence of its magnetic anisotropy on the thickness of the Pd spacer was observed.It is suggested from these two phenomen a that the magnetic polarization of Pd spacers oscillates between ferromagnetic and antiferromagnetic polarization with the increase of Pd spacer thickness under a RKKY-like interaction.Evidence is found for the antiferromagnetic polarization of the inner part of the Pd spacer.The antiferromagnetic coupling between two Co layers and giant magnetoresistance effect in Co/Pd multilayer system were not observed.The relationship among structure,interlayer coupling and magnetic polarization effect of the Pd spacer was discussed. 相似文献
6.
以混合的锌粉和锡粉作为原料, 通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有“芯线-壳层”同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆. 扫描和透射电镜的研究表明, 这种纳米电缆的产量很高, 长度达到数个微米, 并且确认了其“芯线-壳层”的独特结构. 不同于以往ZnO一维纳米材料的三个快速生长方向〈0001〉、〈0110〉及〈2110〉, 其ZnO芯线的生长方向为[2021]. 本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂, 通过控制锌粉的蒸发速率以及金硅共熔反应使ZnO纳米电缆在硅基片上得到一维生长. 这种纳米电缆可望在纳米尺度的电路、电器以及力学和光学信号的耦合和转换方面得到应用. 相似文献
7.
8.
9.
采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了纳米结构的Fe53Pt47薄膜,并研究热处理后薄膜中的磁相互作用、晶粒尺寸与热处理温度的关系.经400℃热处理后,FePt薄膜中有明显的面心四方相形成,薄膜表现出硬磁性,晶粒尺度在20 nm,薄膜内部存在软硬磁交换耦合作用;随着热处理温度升高,硬磁相含量增加.同时由于FePt薄膜的晶粒长大,部分软硬磁晶粒之间的交换耦合作用失效;600℃热处理后,FePt的面心立方相已经完全转变为面心四方相,薄膜矫顽力由硬磁相之间的静磁作用贡献.
关键词:
磁性薄膜
纳米晶
磁性能
热处理 相似文献
10.
采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜,利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成,X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β-C3N4和α-C3N4组成,并且这些结果与a-C3N4相符合较好,由虎克定律近似关系式计算了α-和β-C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C-N共价键的存在。 相似文献