基于复合绝缘层SiNx/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件

为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×10~(12) cm~(-2)。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10~(-2) cm~2/(V·s),比单绝缘层提高了60%,饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域。     

α-四噻吩薄膜的生长及性能研究

利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩(α-4T)薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35 ℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35 ℃时器件迁移率为3.53×10^-2 cm²·V^-1·s^-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec^-1降低到3.83 V·dec^-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。     

双异质诱导层对红荧烯薄膜晶体管性能的影响

在二氧化硅衬底上依次真空沉积p-六联苯(p-6P)和酞菁铜(CuPc)构成双异质诱导层,研究了不同衬底温度下双异质诱导层对红荧烯薄膜形貌的影响,以及红荧烯分子在双异质诱导层上的生长过程.分析发现,第二诱导层酞菁铜的局部有序性对红荧烯薄膜的结晶度有直接影响.随着衬底温度的升高,酞菁铜薄膜有序区域面积增大,红荧烯的棒状晶粒也逐渐增大.当酞菁铜和红荧烯的衬底温度均为90℃,红荧烯蒸镀厚度为20 nm时,红荧烯薄膜形成高度有序、内部连接及具有特定方向的棒状晶畴.利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析了红荧烯薄膜的晶体结构,发现经过双异质诱导后的红荧烯薄膜转变为多晶形态.另外,红荧烯薄膜晶体管性能也明显提高,开态电流提高了约3个数量级,迁移率提高了30倍,阈值电压降低了20 V.     

红荧烯薄膜生长及稳定性的研究

利用原子力显微镜研究了二氧化硅衬底上红荧烯薄膜的生长及稳定性。在较低沉积速率下,较低衬底温度时,红荧烯分子有充足的扩散时间,利于薄膜的横向生长,形成连续性、均匀性较好的薄膜。快速蒸镀及较高衬底温度使红荧烯薄膜转变为纵向生长模式,形成团粒状岛。横向生长的红荧烯薄膜在退火和空气中表现为亚稳特性,随着退火温度的升高和空气中放置时间的延长,红荧烯分子会自发地进行质量传输,发生纵向转移,转变为团粒状岛。获得了二氧化硅界面上红荧烯薄膜的生长及亚稳定机制模型。研究结果证明红荧烯分子与二氧化硅界面之间的作用力小于红荧烯分子间的作用力。     

鞍山钢铁集团钢材价格变动趋势的计量分析

论文在一定的假设条件下,根据影响钢材价格变动的三个主要因素,分别建立了冷轧板价格与CP I指数模型、冷轧板价格与国内铁矿石价格模型、冷轧板价格与国际铁矿石价格模型以及冷轧板价格与CP I指数、国内铁矿石价格、国际铁矿石价格的综合模型,并对价格变动作趋势分析,从而为鞍钢以及相关行业制定企业的经营决策、战略目标提供一定的依据.在此基础上,总结了所建模型的优点与不足,并对所出现误差的原因作了解释.