老年抑郁症患者预后相关因素研究

目的探讨影响老年抑郁症患者预后的相关因素。方法收集住院或门诊就诊的87例老年抑郁症患者的一般资料,并进行生活事件量表（LES）、艾森克人格问卷（EPQ）、简易智力状态检查表（MMSE）和社会支持评定量表（SSRS）等因子评定,采用大体功能评定量表（GAS）评定老年抑郁症患者的预后疗效,并根据GAS分值分组,GAS≤60分视为预后差,作为研究组;GAS＞60分视为预后好,作为对照组。通过logistic回归分析,探讨影响老年抑郁症患者预后的相关因素。结果87例老年抑郁症患者中疗效差者占37.9%。两组患者在起病形式、治疗是否恰当、治疗依从性、合并慢性躯体疾病、负性生活事件值、对社会支持的利用度、EPQ的N维度分值及MMSE总分等因子方面的差异均有统计学意义（均P＜0.05）,经多元logistic回归分析发现,影响老年抑郁症预后的主要因素为：治疗依从性、慢性躯体疾病、EPQ标准N维度分值、合并精神病症状及对支持的利用度。结论老年抑郁症患者的预后可能受精神病理学、神经心理学和家庭社会等多种因素的影响,应从多方位着手,降低复发率,提高生活质量。     

组合透镜法测量透镜焦距方法研究及数值分析

为了解决神光系列装置所需长焦透镜焦距的检测问题,在现有斐索干涉仪的基础上,对常规组合透镜方法进行了拓展,提出了双探头光栅尺法。对两种方法的工作原理及检测方法进行了分析,同时计算分析了测量数据误差对测量结果的影响,得出测量数据测量误差的上限要求。这两种方法具有测量精度高、重复性好、测量过程简单的优点,对于各类透镜焦距的检测具有重要的实用价值。     

透射波前测量中寄生条纹的产生原理及移除方法

在平行平板类元件透射波前的测量过程中,在干涉强度图上有时会产生寄生条纹,会给透射波前的测量引入较大的误差。阐述了寄生条纹的产生机理,仿真分析了寄生条纹对透射波前测量误差的影响,介绍了调节移除寄生条纹的方法。对一平板类透射元件进行了实验对比,分别测量了在具有寄生条纹时和移除寄生条纹后的透射波前。根据对比结果可以看出,该调节方法能有效地消除寄生条纹对透射波前测量的影响,使测量结果能更真实地反应出元件透射波前的分布。     

地方性城市静态交通现状特征与优化研究——以杭州市萧山城区为例

针对地方性城市“停车难、乱停车”等静态交通问题,以杭州市萧山区为例,对其城区各类停车设施的分布状况与利用现状进行分析,认为城市静态交通设施总量不足、设施结构不合理和停车秩序混乱是其主要问题所在,并据此对地方性城市静态交通困境产生的原因进行剖析,提出静态交通建设对策及在萧山城区的具体优化措施．     

平面反射镜反射率检测系统研究

为实现在高功率激光装置中对平面反射镜反射率的高精度测量,提出了将双光束分光光度法与VW测量法相结合,利用扩束后的测量光束测量被测元件的反射率.推导了计算公式,搭建了测量光束口径为50mm的检测系统,通过对标准吸收玻璃吸收值的测试验证了系统对光束能量测试的准确性.利用该系统对高功率激光装置使用的反射镜的反射率进行了测量,...     

Analytical capacitance model for 14 nm Fin FET considering dual-k spacer

The conformal mapping of an electric field has been employed to develop an accurate parasitic capacitance model for nanoscale fin field-effect transistor(Fin FET) device. Firstly, the structure of the dual-layer spacers and the gate parasitic capacitors are thoroughly analyzed. Then, the Cartesian coordinate is transferred into the elliptic coordinate and the equivalent fringe capacitance model can be built-up by some arithmetical operations. In order to validate our proposed model, the comparison of statistical analysis between the proposed calculation and the 3D-TCAD simulation has been carried out, and several different material combinations of the dual-k structure have been considered. The results show that the proposed analytical model can accurately calculate the fringe capacitance of the Fin FET device with dual-k spacers.     

丙烯在MoO3和WO3缺氧表面吸附的原子簇模型的从头算研究

本文选取原子簇模型, 用从头算UHF方法优化几何构型, 并进行二级MΦller-Plesset微扰(MP2)相关能计算, 研究了丙烯在MoO3和WO3表面的吸附态结构。优化得到的吸附前后的几何构型及计算的原子净电荷和吸附能都一致地表明,WO3对丙烯的吸附作用强于MoO3; 丙烯均用π成键电子向中心原子Mo或W配位而被吸附在MoO3的缺氧表面, 使丙烯中的碳-碳双键减弱致使容易断裂, 进而起到促进歧化反应的作用。从MP2计算的WO3对丙烯的吸附能0.934eV大于MoO3对丙烯的吸附能0.506eV及吸附过程均不必翻越能垒, 还可以定性理解用WO3作催化剂时的丙烯歧化反应的最佳温度(675K)高于用MoO3作催化剂(均以Al2O3为载体)的最佳反应温度(480K), 且WO3在675K时的催化活性高于MoO3在480K时的活性。