1,2,4-三嗪类化合物的研究——Ⅱ.3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪的不正常甲苯磺酰化反应

3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪(Ⅱ)在无水吡啶中与对甲苯磺酰氯作用,得氯化N-[5-(3-甲硫基-6-甲基)-1,2,4-三嗪基]-吡啶鎓盐(Ⅷ)。它在含微量呲啶的水溶液中回餾得結构可能是O-[5′-(3′-甲硫基-6′-甲基)-1′,2′,4′-三嗪基]-3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪(Va)的化合物。此化合物与二乙胺作用得3-甲硫基-5-二乙氨基-6-甲基-1,2,4-三嗪(Ⅶ),后者水解得高熔点的物貭。O-[5′-(3′-甲硫基-6′-甲基)-1′,2′,4′-三嗪基]-3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪(Va)的結构是借其水解反应及胺解反应等加以推論。对于这类化合物的紅外吸收光譜也进行討論。作者对于3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪在吡啶中与对甲苯磺酰氯作用生成O-[5′-(3′-甲硫基-6′-甲基)-1′,2′,4′-三嗪基]-3-甲硫基-5-羥基-6-甲基-1,2,4-三嗪(Va)的反应历程提出建議。     

容抗与感抗的实驗

为了貫彻教育与生产劳动相结合的教育方針,学生們都积极参加了勤工俭学。交流电就是学生们在生产劳动中经常要接触到问题,而容抗和感抗又是交流电路中的基本問題之一。高中課本中关于交流电問題虽是有了一些敘述,但仍欠詳細。如教师在教到电容和自感时能将容抗和感抗运用实驗,适当地結合进去的話,这样不但可以加深了課文中的知識,对生产劳动     

對於數π的瓦理斯公式,萊布尼茲公式和歐拉公式的初等推導

在高等數學中,推得了許多把數π表爲無窮級數或無窮乘積的公式,這些公式中最著名的是瓦理斯公式2/1·(2/3)·(1/5)·(1/5)·(5/6)·(6/7)·=π/2 (1)萊布尼茲公式 1-(1/3)+(1/5)-(1/7)+…=π/4 (2)歐拉公式 1+(1/2~2)+(1/5~2)+(1/4~2)+…=π/6~2 (3) 在高等學校裏,這些公式普通是在研究積分學(瓦理斯公式),研究函數展為冪級數(萊布尼茲公式)和展為三角級數(歐拉公式)的理論時被證明的,我們認為,對於大學裏的高等代數教師,特別,對於師範大學的高等代數教師來說,下面的一個這些公式的簡單推導,它只基於複數的運算法則和多項式代數的基礎,可能引起興趣;實際上,這個推導甚至對於中學生來說,都是可以理解的。     

石英衬底上Au缓冲层对ZnO薄膜微结构的影响

采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在石英衬底上以Au为缓冲层,Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源制备ZnO薄膜。SEM和XRD测试ZnO薄膜的微结构,结果表明:相对于SiO2衬底上生长的ZnO薄膜,Au/SiO2衬底上生长的ZnO薄膜具有较好的结晶质量和表面平整度;对制备ZnO薄膜的衬底温度进行了工艺优化,结果表明:500℃时制备的ZnO薄膜颗粒大小均匀,结晶质量较好;通过荧光光谱仪对Au/SiO2衬底上的ZnO薄膜进行光致发光(PL)谱测试,ZnO薄膜在400nm出现紫光发射峰,而没有出现与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较好的结晶质量。     

Al掺杂浓度对ZnO陶瓷释能电阻材料性能的影响

为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷。实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响。Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02;Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm³,较金属释能材料高出2~3倍。     

电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响

采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明:以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。     

掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动.UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致.对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8;摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能.     

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.     

基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single sour cechem icalvapor deposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中n_Zn:n_O=0.985。     

喹唑啉类杂环化合物的化学 Ⅱ.喹唑酮-4的氧化反应

喹唑酮在冰醋酸中与三氧化铬作用,形成喹唑酮铬酸盐(I);在中性或硷性溶液中与高锰酸钾作用,形成喹唑酮草酸盐(III),但在酸性溶液中与高锰酸钾作用,则形成2,4-二羟基喹唑啉(II)。以过氧化氢在冰醋酸或醋酸酐中与喹唑酮作用,分离出N~1,N~3-二氧化喹唑酮(IV),2,4,6-三羟基喹唑啉(V),N-甲酰隣硝基苯甲酰胺(VI),隣硝基苯甲酰胺 (VII)及苯甲酸(VIII)等化合物。这些氧化产物的相对产量,随反应条件不同而有很大的差别。在较强烈的条件下,主要产物为氧化程度较高的衍化物(VI—VIII);而在较温和的条件下,则主要产物为氧化程度较浅的化合物(IV—VI)。以过氧化苯甲酸在氯仿中与喹唑酮作用,则只分离出IV。 N~1,N~3-二氧化喹唑酮在醋酸中以碘化钾脱氧得到喹唑酮;在醋酸中重排为2,4,6-三羟基喹唑啉;在冰醋酸中与过氧化氢进一步反应,则得隣硝基苯甲酰胺。2,4,6-三羟基喹唑啉与醋酸酐作用,可得2,4二羟基-6-乙酰氧基喹唑啉,后者水解又得到三羟基喹唑啉。2,4,6-三羟基喹唑啉与五氯化磷在三氯氧磷中作用,即氯化为2,4,6-三氯喹唑啉,后者水解则得到2,4-二羟基6-氯喹唑啉。 N-甲酰隣硝基苯甲酰胺与沸水,冷碳酸氢钠水溶液或湿吡啶作用,则水解为隣硝基苯甲酰胺及甲酸。根据我们实验的结果,这些氧化产物的生成机构如下:■