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航天复杂产品研制过程中,形成了大量以CAE有限元模型或实物试验数据形式存在的性能样机模型;性能样机模型统一读取及显示方法,可以支持Nastran、Ansys、Abaqus、Fluent等多种CAE有限元软件数据和实物试验数据文件的直接读取,并支持根据用户需求进行其他格式文件的定制开发,实现了对性能样机模型统一读取和显示的通用化;经测试该系统不需依赖及安装商用CAE软件,文件压缩比可达到2%~30%,易于在PDM、SDM、TDM等外部系统中进行集成使用,能够充分使用产品研制过程中产生的各类数据,为大系统的协同研发打下基础。 相似文献
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Rayleigh阻尼模型具有数学简易性的优点,应用广泛,其阻尼矩阵构造依赖于结构模态阻尼比。结构阻尼(复阻尼)模型的阻尼矩阵直接由材料损耗因子和刚度矩阵决定,在非比例阻尼体系中具有阻尼矩阵便于构造的优点,但存在时域计算结果发散、初值条件不易确定和频响函数非因果等缺陷。本研究结合两种阻尼模型的优点,分别依据阻尼衰减和阻尼耗能,提出了与结构阻尼模型等效的Rayleigh阻尼模型。算例分析结果表明:等效Rayleigh阻尼模型克服了结构阻尼模型的缺陷,同时保留了非比例阻尼体系中阻尼矩阵易构造的优点;与基于阻尼衰减等效的Rayleigh阻尼模型相比,基于阻尼耗能等效的Rayleigh阻尼模型计算结果近似相等,但避免了复模态分析,且计算过程直观简单。 相似文献
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金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory, SRAM) 质子单粒子效应敏感性的影响值得关注. 利用Geant4针对不同能量(30 MeV, 100 MeV, 200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算, 研究了核反应次级粒子的种类、线性能量传输值(linear energy transfer, LET)及射程情况, 尤其对高LET 值的核反应次级粒子及其射程开展了详细分析. 研究表明, 金属布线层的存在和质子能量的增大为原子序数大于或等于30的重核次级粒子的产生创造了条件, 器件体硅区中原子序数大于60的重核离子来源于质子与钨材料的核反应, 核反应过程中的特殊作用机理会生成原子序数在30至50之间的次级粒子, 且质子能量的增大有助于这种作用机理的发生, 原子序数在30至50之间的次级粒子在器件体硅区的LET值最大约为37 MeV·cm2/mg, 相应射程可达到几微米, 对于阱深在微米量级的微纳级SRAM器件而言, 有引发单粒子闩锁的可能. 研究结果为空间辐射环境中宇航器件的质子单粒子效应研究提供理论支撑. 相似文献
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Single event effect in a ferroelectric-gate field-effect transistor under heavy-ion irradiation 下载免费PDF全文
The single event effect in ferroelectric-gate field-effect transistor (FeFET) under heavy ion irradiation is investigated in this paper. The simulation results show that the transient responses are much lower in a FeFET than in a conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) when the ion strikes the channel. The main reason is that the polarization-induced charges (the polarization direction here is away from the silicon surface) bring a negative surface po- tential which will affect the distribution of carders and charge collection in different electrodes significantly. The simulation results are expected to explain that the FeFET has a relatively good immunity to single event effect. 相似文献
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基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。 相似文献
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Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation 下载免费PDF全文
Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interracial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness (EOT) scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process. 相似文献