低温等离子体对塑料表面处理——低温等离子体对高密度聚乙烯表面处理的ESR研究

本文研究了不同处理条件(处理功率、处理时间和处理压力)下等离子体气体(Ar、N₂、O₂和空气等)对高密度聚乙烯表面处理产生的自由基的ESR谱。我们观察到等离子体处理产生的自由基是相当稳定的,它的ESR信号强度随处理功率和处理时间增加而增加。但处理压力对它影响不大。我们证明了紫外线对高密度聚乙烯表面产生自由基作用随处理条件而变化。并初步解释了谱的超精细相互作用。     

气密性碳涂覆光纤筛选强度与电阻关系研究

通过实验分析确立了把光纤电阻作为衡量气密性碳涂覆光纤通过２％应变筛选的过渡标准。要拉制２％应变筛选的碳涂覆光纤，其电阻值应小于３０ｋΩ／ｃｍ。     

Synthesis and Crystal Structure of Tetraimidazolium Dinicotinatooctamolybdate

1INTRODUCTIONPolyoxometallates(POM)areofgreatinterestnotonlyfortheirstructuralvarietybutalsotheirunexpectedproperties[1,2].Theseinorganicanionshavebeenwidelyinvestigatedasdiversascatalysis,biology,medicine,magnetochemistryandmaterialscience[3～7].Thestudiesonthecoordinatedpoly-oxometallateswithorganicligandsmighthelptounderstandtherolesofpolyoxometallatesoncatalysis.Todate,aseriesofoctamolybdateswhichcanbedescribedas[Mo8O26X2]2n－4(nisthenormalchargeofthecoordinatedbaseX)havebeenreport…     

1.2 MV大功率直流高压电源研制

 采用等边三角形结构的铁芯,次级线圈分成40级,分别进行三相全波整流,每级输出直流30 kV,串联后获得1.2 MV/A的直流高电压大功率输出。电源的能量转换效率大于95%,漏抗高达21.7%。采用无滤波电容结构,次级线圈星型/三角型接法交替使用,纹波系数小于±4%。整个电源密封在压力钢筒中,充0.8 MPa高纯度SF6气体作为绝缘介质,最大工作场强小于130 kV/cm。设计了专门的SF6气体冷却系统,气体温度控制在60 ℃以内,高电压由充气同轴传输线输出。在小负载条件下,电源各项指标满足技术要求,已经安装在1.2 MW,1.2 MeV大功率直流电子加速器上进行整机联调。     

电解质对锂离子电池正极材料界面特性的影响

研究L iPF6、L iC lO4和L iBF43种电解质对L iCoO2材料界面特性的影响.结果表明:化成后的L iCoO2表面存在固态电解质膜(SEI膜);在不同成分的电解液中,L iCoO2表面SEI膜的形成电位、形貌特征以及材料的可逆容量、平均放电电压和电化学反应阻抗不同.     

衍射透镜补偿声光偏转器扫描飞秒激光的色散

在飞秒激光随机扫描双光子显微成像系统中使用宽带二维声光偏转器扫描飞秒激光,可以增大扫描角度至74 mrad,增大双光子显微成像范围。但宽带二维声光偏转器在大角度扫描时引入的色散较大,造成成像范围边缘的光斑严重畸变,边缘光斑直径达2.3 μm,影响边缘视场的成像质量。为了提高成像质量,设计了一种新的色散补偿方法,基于衍射透镜组成的开普勒望远系统,可以同时补偿不同扫描角度的不同色散。经过色散补偿后成像边缘的光斑直径小于1 μm,使系统获得大范围扫描成像的同时,所有扫描角度的色散都能够得到很好的补偿,在整个视场范围内光斑直径小于1 μm,实现更均匀的荧光激发,均匀成像。     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

溶液自由基ESR谱的计算机模拟

根据溶液自由基电子自旋共振(ESR)原理,用高级BASIC语言编写了溶液自由基谱的模拟程序。自由基的ESR能级用一级近似求解,谱线的线型采用洛仑兹和高斯型的混合线型函数,程序规定体系中核自旋量子数可从1/2到7/2,不等性核的数目最多可达10组,每组中等性核的数目原则上不受限制。通过二萘嵌苯阳离子自由基和硝基苯负离子自由基谱模拟二个例子加以说明,模拟结果是满意的。     

利用反射太赫兹时域强度分布定量检测沙粒中的微量原油

原油污染是海洋生物和环境安全的主要威胁之一,检测近海沙粒中的微量原油对于环境保护和原油勘探有着重要意义.本文采用反射式太赫兹时域波形对近海沙粒中的原油进行定量检测,详细地分析了延迟时间与沙粒中的原油浓度的关系.结果表明,原油浓度与延迟时间呈线性递减关系,反射式太赫兹时域波形是一种具有潜力的污染定量检测方法.     

神光Ⅲ主机双束组激光间接驱动内爆实验研究

在神光Ⅲ主机装置上,利用已经建成的两个激光束组,开展了激光间接驱动内爆物理磨合实验,是神光Ⅲ主机装置首次出中子实验。实验采用1400μm×2100μm黑腔,500μm的塑料靶丸充1 MPa的DD燃料,激光从黑腔两端55°注入。实验获得的最高中子产额为9.7×108。实验结果表明,实验黑腔的耦合效率约为50%;使用的黑腔偏长,靶丸被压缩为"薄饼形";中子产额和激光能量正相关;中子发射峰值时刻主要依赖于烧蚀层厚度。