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这属奥林匹克竞赛在芬兰的赫尔辛基举行。每个国家派5名学生参加。这届的规模出以往各届都大,共有来自37个国家的178名参赛,而我也能够成为这次盛大竞赛的参加之一! 相似文献
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研究化学物质分子结构的方法很多,而衍射法是其中主要的方法之一,它包括X射线衍射、中子衍射和电子衍射等。由于X射线容易得到,而且成本较低,因此、X射线衍射法是分 相似文献
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20 0 2年 8月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 3 86 试证明 :有两边及一个角的角平分线对应相等的两个三角形全等 .(湖北宜昌市十一中学 是海松 443 0 0 3 )证明 设△ABC和△A′B′C′的三边分别记为a、b、c和a′、b′、c′,三条角平分线分别记为ta、tb、tc和ta′、tb′、tc′,半周长分别记为p和p′.当有两边及它们的夹角的平分线对应相等时 ,不妨设b=b′,c =c′,ta =ta′.由ta =2b+c bcp(p -a) ,ta′ =2b′+c′ b′c′p′(p′ -a′)得 :2b+c bcp(p -a) =2b+c bcp… 相似文献
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Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO3 thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO3 would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO3/Si was very low and the pinning effect was hardly observed. 相似文献
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采用对掺入La_2O_3的石墨棒原位活化并结合交换电极回放方法制备了产率较高的金属富勒烯,并用甲苯高温热提取的方法有效地提取出La@C_(2n),其中La@C_(74)为可溶性金属富勒烯增加了新成员.同时,首次采用解吸电子轰击质谱对提取物进行了表征,讨论了提取物的ESR谱. 相似文献
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本文报道了7种新的N-烷基-N′-乙氧羰基甲基-N′-芳磺酰基-O-乙基磷酰二胺酯化合物的电子轰击质谱(EIMS)和化学电离质谱(CIMS,甲烷为反应气)。结果表明,无论是EIMS,还是CIMS均存在较多的骨架重排离子峰;取代基对谱图有较大的影响;EIMS中P—N键的断裂为重要质谱特征,CIMS中MH~+准分子离子为重要特征离子,还存在分子离子反应的产物。 相似文献
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