汞(Ⅱ)在螯合树脂聚[对乙烯苄基-(2-羟乙基)硫醚]上的吸附机理

研究了Hg2+在自合成的新型含硫螯合树脂-聚[对乙烯苄基-(2-羟乙基)硫醚](PSME)上的吸附机理.静态吸附结果表明吸附属于液膜扩散控制机理;树脂对Hg2+的等温吸附过程可以用Freundlich方程描述;在吸附过程中存在着明显的氧化还原现象.在较低浓度下,Hg2+主要被还原成Hg2+2和Hg0;而在较高浓度下Hg2+则主要被还原成Hg2+2.在两种情况下,-S-均被氧化成-SO2-键.     

喷雾热解法制备的SrWO4膜的阴极射线发光

利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO₄多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响.生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO₄^2-的电荷转移跃迁引起的.发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大.在SrWO₄膜中掺入银离子Ag⁺和镧离子La³⁺后,不影响其发光特性,但铕离子Eu³⁺的掺入对发光特性有影响.     

稠油油藏边水侵入通道特征参数计算模型

含边水的稠油油藏受边水侵入的影响,在开发过程中会出现边水指进现象致使油井过早水淹,高效稳定生产难以维持.准确的计算出边水侵入通道的体积和孔径大小是完成高效堵水必须解决的关键问题.采用油藏工程和数值模拟方法,分别建立见边水井的优势体积比、优势渗透率比和优势产液比三者之间关系,将两种方法得到的关系曲线进行耦合求解,得到边水侵入通道发育的体积和孔径大小.利用该方法,对BQ67区块主力油层13口见边水井侵入通道体积和孔径大小进行了实例计算,与现场示踪剂测试资料进行对比,符合率大于80%,表明该方法计算稠油油藏边水侵入通道体积和孔径大小的精度较高,且方法简便,易于操作和推广.     

量纲分析与量值分析

本文指出量细分析方法在物理学中的重要地位，同时又阐明量纲分析不能代替量值分析，讨论了某些书中关于雷诺数Ｒｅ物理意义的不恰当提法．     

ZnAl2O4：Mn薄膜的阴极射线发光特性的研究

采用喷雾热解法在铝矽酸盐陶瓷基底上合成了过渡族金属离子锰(Mn2 )掺杂的铝酸锌(ZnAl2O4)发光膜,研究了ZnAl2O4∶Mn膜在中至低电子束电压(<5 kV)激发下的阴极射线发光特性。生成的ZnAl2O4∶Mn膜在退火温度高于550℃时发出峰值位于525 nm的绿光,是由Mn2 的4T1→6A1跃迁引起的。测量了ZnAl2O4∶Mn膜阴极射线发光的色坐标和色纯度,其色坐标为x=0.150,y=0.734,色纯度为82%。ZnAl2O4∶Mn膜的阴极射线发光亮度和效率依赖于激发电压和电流密度。随着电流密度的增加,观察到了亮度饱和现象。在激发电压为4 kV、电流密度为38μA.cm-2的条件下,ZnAl2O4∶Mn薄膜的亮度可达540 cd.m-2,效率为4.5 lm.W-1。     

氧阴极用于电解电渗析法制备硅溶胶研究

通过对氧阴极电解电渗析槽和析氢电解电渗析槽的槽电压、电流效率、能耗等的比较,说明在电化学法制备硅溶胶过程中,用氧阴极代替析氢电极可将电解电渗析过程返回到电渗析过程。在电流密度０～１００ｍＡ·ｃｍ－２范围内,槽电压降低０．８６～１．３Ｖ左右,可节约电能１６％左右,而其电流效率则基本上不受影响     

氟磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒的表面晶化

对F、P共掺杂光纤预制棒退火后的表面晶化行为进行了研究.由改进的化学汽相沉淀法制备的氟和磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒玻璃样品在6 h的1 150 ℃控温加热处理后,其表面发生晶化.用X-射线衍射仪观测其晶相,主要为α-方石英,可使玻璃具有二阶光学非线性;用光学显微镜观察了其表面形貌并对结晶微粒的大小进行测量,知晶粒大小在十几到几十μm之间,会造成散射损耗的增加.实验结果,还显示氟对结晶过程有很大的影响.     

添加纳米固体润滑剂的自润滑陶瓷材料高温摩擦磨损性能研究

采用真空热压烧结工艺制备了一种添加纳米固体润滑剂CaF2的自润滑陶瓷材料,研究其在室温25℃到600℃环境下与40Cr钢销干摩擦时的摩擦磨损性能.结果表明:自润滑陶瓷材料的摩擦系数与磨损率随环境温度的升高而逐渐降低,600℃时摩擦系数降低到0.21,磨损率降低到2.4×10-6 mm3/N·m.常温下自润滑陶瓷材料的磨损机理是磨粒磨损,高温环境同时存在磨粒磨损和粘着磨损.高温环境下摩擦表面纳米CaF2含量的增加和固体润滑膜的形成是摩擦磨损性能改善的主要原因.     

利用亮度波形证明固态阴极射线发光

制备了3种结构的器件：A: ITO/SiO₂/Alq₃/Al, B: ITO/Alq₃/SiO₂/Al,C: ITO/SiO₂/Alq₃/SiO₂/Al。对于器件A和B,在正向偏压(ITO接正极)下才能观察到发光;而对于器件C,在正向和反向偏压下都可以观察到发光。随着电压升高,器件B和C产生的蓝色发光相对绿光逐渐增强。这主要是由于SiO₂中的加速电子碰撞激发Alq₃发光层产生热电子,并与空穴形成电子空穴对,复合产生蓝光;而对于器件A,在反向偏压下被热电子碰撞激发出的空穴与正向偏压下从Al电极进入的电子复合形成激子,产生绿色发光。这些结构的器件发光不但可来源于电子与积累的空穴复合,而且也来自固态阴极射线发光。