光纤光栅选频掺Yb3+双包层光纤激光器

利用相位掩模法 ,在D形内包层掺Yb3 双包层光纤一端直接写制出Bragg光栅 ,用作双包层光纤激光器的输出腔镜 .试验得到了线宽为 0 196nm ,波长为 10 5 8 2nm ,最高输出功率为 5 70mW的稳定激光输出 ,解决了激光器中模式竞争造成的输出不稳定现象 .从速率方程出发 ,对激光器的输出功率与抽运功率、光栅反射率的关系以及最佳光纤长度进行了理论分析 ,结果与实验符合很好     

法沃尔斯基（FavorskiiAE）重排新进展

本文介绍了近年来法沃尔斯基重排反应在手性药物，立方烷系，杂环衍生物环烷小合成中的最新动态有应用前景。     

变加速动力学与舒适性问题

用变加速动力学的急动度(加加速度)概念,分析了车辆、电梯的乘座舒适性与高层钢结构建筑的风振舒适性问题.     

量子光通信

量子光通信是以量子信息论和量子力学为理论基础的一种全光型通信，是正处于开发之中的现代光通信前沿．本文简明地介绍了量子光通信的基本概念与特征，阐明了在这种通信系统中一个光子可将无限的信息传递给无限个分支终端．量子光通信系统分为三个关键性部分，即亚泊松激光器、量子非破坏测量和光子计数器．本文对它们的工作原理、基本特性等分别作了介绍，指出了它们的现状和发展前景．     

水汽在淀积金属钠的InP(111)表面的吸附

用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。 关键词：     

Quantum chemical studies on the structures, properties and decomposition of the azido derivatives of trinitrobenzenes

The geometries,heats of formation and electronic structures of 15 azido-derivatives of 1,2,3-TNB (Ⅰ),1,2,4-TNB (Ⅱ) and 1,3,5-TNB (Ⅲ) have been studied using quantum chemical AMI method at HF level.The effect of azido substitution on the structures and properties of TNBs has been discussed and the relative stability of the title compounds has been established.The processes of the decomposition of the title compounds by breaking C-NO2,C-N3 and CN-N2 bonds are investigated at UHF-AM1 level.It is shown that the decomposition of the title compounds may be initiated by the cleavage of both C-NO2 and N-N2 bonds.     

交联网络和浓溶液中高分子链运动的NMR研究Ⅲ.质子自旋-晶格弛豫时间与凝胶和浓溶液体系中高分子链段的运动

用自旋－晶格弛豫时间（Ｔ１）研究了溶胀的交联聚丙烯酰胺－丙烯酸网络和线型聚苯乙烯溶液中质子的弛豫行为。交联网络中，随着交联度增大，Ｔ１ＣＨ／Ｔ１ＣＨ２的值由１．１７逐渐趋近于１；而线型聚苯乙烯溶液中，Ｔ１ＣＨ／Ｔ１ＣＨ２的值由最稀浓度下的１．７过渡到１。说明在交联网络中，交联度很低时，链段的运动已经相当受约束；但交联度很大时，充分溶胀的交联网络中链段运动仍有一定自由度。而在线型高分子浓溶液中，链段的运动严重受阻，导致自旋扩散效应非常完全，彻底平均掉了各质子间Ｔ１时间的差异。     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附

氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。 关键词：     

双亲半柔性两嵌段共聚物在溶液中自组装形态的模拟退火研究

针对一系列疏溶剂嵌段与溶剂间的相互作用,用模拟退火方法研究了双亲半柔性两嵌段共聚物在溶液中的自组装形态.模拟结果显示共聚物在溶液中均形成核-壳聚集体,其中疏溶剂嵌段形成聚集体的核,亲溶剂嵌段形成聚集体的壳.当上述相互作用较小时,核呈球形,而壳如同长在核上的刺.随着上述相互作用的增大,核逐渐增大.在较大的相互作用时,核呈柱形;而随着相互作用的加大,长在核上的刺逐渐伏贴于核表面.在更大的相互作用时,核又呈球状,壳伏贴于核表面.