精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。     

一类系统构造问题的多输入-多输出基本方程与多目标优化

Renato Pennachi 讨论了以 S(M,N,C,λ_0)表示的参数系统抽象化定义,给出了参数系统的矩阵表示.Franz R.Pichler 总结 Salovara,Blomberg,Messarovic,Ma-cko,Windeknecht,Klir,Kalman,Zadeh 等人的工作,介绍了一般系统理论中若干以集合论与代数体系为基础的较有成效的动态系统建造与实现理论.G.M.Ostrovsky 等人在大规模复杂系统的优化问题中,运用了带有0—1变量的系数,研究了具有复杂平行序列的结构问题.     

石墨炉原子吸收法测定人体血尿和尿中锗

研究了口服有机锗后人体血浆及尿中锗的测定方法。以５％三氯乙酸溶液沉淀血蛋白，离心分离后，取上清液测定。以钯和硝酸镍混合溶液做基体改进剂，提高灰化温度至１４００℃，消除了样品中大量基体对测定锗的干扰，方法特征量为３１ｐｇ，检出限为２８ｐｇ（３σ），样品加标准回收率为：血浆９１．４％￣９７．０％，尿９７．２％￣１０５％。     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.     

MMM分子筛的制备与表征

 以碱溶液处理ZSM－5分子筛，得到了含微孔及介孔的MFI结构分子筛（简称MMM），并采用XRD，XRF，SEM，XPS和低温氮吸附等技术对分子筛进行了表征．结果表明，通过改变处理碱的浓度可以得到具有不同物化性能的MMM分子筛，其化学组成、介孔及微孔的大小和多少，及分子筛晶体上n（Al）／n（Si）均随碱浓度的变化而变化，随着碱浓度的增加，分子筛部分微孔结构遭到破坏，介孔的数量增加，孔径增大，n（Al）／n（Si）增大．碱处理脱硅的过程包括脱除晶粒间的无定形物质，脱除分子筛表面的硅及脱除分子筛体相硅等步骤，硅脱除以后形成了介孔．     

影响SAPO－11分子筛焙烧前后晶胞空间群变化的因素

 从合成参数出发，详细考察了不同因素对SAPO－11分子筛焙烧前后晶胞空间群变化的影响．发现成胶方式、成胶温度、模板剂组成、晶化温度、晶化时间及分子筛产物组成均是影响分子筛晶胞空间群变化的因素．MAS－NMR分析结果表明，分子筛的微观结构决定了分子筛晶胞空间群的变化，Si（4Si）区增加，分子筛保持为Icm2空间群的趋势增强．     

大亚湾沉积物中氨基酸的垂直分布棗沉积物柱样W0中的游离氨基酸

用邻苯二甲醛（OPA）－3－巯基丙酸（3－MPA）柱前衍生高效液相色谱法测定了采自大亚湾近岸海域的一个长60cm的沉积物柱样W0中15种游离氨基酸（FAA）的含量，结果表明，W0中FAA总量在0．83－2．69mmol/kg之间，15种FAA以及FAA总量均随深度而以指数曲线降低，对氨基酸组成的分析表明，天冬氨酸，甘氨酸，组氨酸和苯丙氨酸的摩尔分数随深度而上升，苏氨酸，精氨酸，缬氨酸和异亮氨酸的摩尔分数随浓度而下降，其他氨基酸的摩尔分数随深度无显著变化，甘氨酸，丙氨酸，天冬氨酸，谷氨酸，丝氨酸是W0中含量最丰富的氨基酸，其摩尔数依次为28．1％，16．0％，14．7％，10．6％和7．2％。     

统计与概率的交汇综合

将抽样、频率分布直方图和茎叶图等统计知识与概率交汇综合命题,是考试热点,下面作一个归纳,供复习参考．     

一类T形树匹配唯一的充要条件

证明：若m∈Ze^ ,则T形树T(1,m,n）匹配唯一当且仅当n≠m,m 3,2m 5.     

8 mm二次谐波回旋速调管放大器双阳极磁控注入电子枪的设计

 计算了8 mm二次谐波回旋速调管双阳极电子枪的设计参数，根据这些参数，采用EGUN软件进行模拟和优化，设计出了一只双阳极磁控注入电子枪，该枪的电子束纵横速度比为1.45，速度零散为5.4%，并讨论了电极形状、磁场分布、电流、控制极电压和第二阳极电压对电子注性能的影响，结果发现电子注对这些影响因子非常敏感，设计中应对它们进行充分优化。