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目的 了解亚胺培南耐药鲍曼不动杆菌(CRAB)医院感染的危险因素,并探讨Ⅰ类整合子在鲍曼不动杆菌亚胺培南耐药中的作用。方法 选取确诊为CRAB 医院感染患者54 例作为病例组,按1:3 配对选择162 例亚胺培南敏感鲍曼不动杆菌(CSAB)医院感染患者作为对照组,采用单因素分析及多因素logistic 回归分析其危险因素,PCR 检测Ⅰ类整合酶基因。结果 单因素分析发现,与CRAB 医院感染相关的危险因素有病情危重、入住ICU 时间、住院时间≥14d、机械通气/ 人工气道、留置尿管、中心静脉置管、免疫抑制剂的使用、抗生素使用时间≥7d、抗生素药物种类≥3 种。多因素logistic回归分析发现,病情危重(OR:8.47;95% CI:1.56~46.0)、入住ICU 时间(OR:9.32; 95% CI:1.83~47.43)、住院天数≥14d(OR:13.89;95% CI:3.07~62.85)、机械通气/ 人工气道(OR:18.86; 95% CI:4.38~81.31)、抗生素使用种类≥3 种(OR:6.16;95% CI:1.85~20.51)、抗生素使用时间≥7d(OR:5.41; 95% CI: 1.36~21.58)是CRAB 医院感染的独立危险因素;CRAB 组中Ⅰ类整合酶基因检出率(59.3%)显著高于CSAB 组(34.6%),差异有统计学意义(P<0.001)。结论 病情危重、入住ICU 时间、住院时间、机械通气/ 人工气道、抗生素使用种类≥3种、抗生素使用时间≥7d 是CRAB 医院感染的独立危险因素,Ⅰ类整合子在CRAB 中普遍存在,需加强对相关危险因素的控制及耐药机制的研究,早期防治CRAB 医院感染的发生。 相似文献
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采用浸渍法将甲草胺吸附到纯硅MCM-41(M41)介孔材料中, 以六甲基二硅氮烷(HMDS)为表面改性剂, 通过气-固反应对吸附了甲草胺的M41材料(Ach/M41)进行疏水改性, 得到了既具有高载药性又能有效延缓甲草胺释放的缓释体系Ach/TMS-M41. XRD、低温N2吸附/脱附、FT-IR和TG等分析结果表明, 甲草胺在M41中的吸附量高达0.381 g·g-1(质量分数为27.6%), 此时M41仍保持原有的孔道结构, 且甲草胺能完全分散于M41孔道中. 分别对Ach/M41和Ach/TMS-M41在水中的缓释性能进行了测试, 甲草胺释放率分别为62%和38.1%, 表明疏水改性对延缓甲草胺释放有较好的效果. 而且, 介孔材料孔壁对甲草胺具有明显的紫外屏蔽保护作用. 相似文献
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以1.06μm激光为基频光,测量了金、铜、铂、银膜的反射二次谐波随基频光偏振角的变化,在b=-1的条件下拟合求得了这几种样品面谐波电流的唯象参数“a”值。 相似文献
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塑料球栅阵列封装PBGA的可靠性分析中,考虑封装过程中SnAgCu焊料与铜焊盘界面间产生的金属间化合物(Intermetallic compound,IMC)的影响,并引入内聚力模型(Cohesive zone model,CZM),利用ANSYS对热循环作用下焊点/IMC界面的脱层开裂情况进行研究.结果表明:热循环作用下,在封装器件中焊点承受较大的应力应变,且远离中心的外侧焊点具有比内侧焊点更大的应力应变.IMC的存在极大的降低了焊点的可靠性.界面分层最先发生在最外侧的IMC/焊点界面的两端,随着热循环次数的增加,分层逐渐沿着界面两端向里扩展.在热循环的前几个阶段,各个界面的最大损伤值增大较快,随着热循环的继续加载,界面最大损伤值逐渐趋于稳定.整个过程中四号焊点界面的损伤值始终最大. 相似文献
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对于线性单频混响声场的统计特性的研究人们曾做了许多工作,建立了均方根声压和平均声能密度统计分布理论。本文在此基础上推导出声压级统计分布函数,并把处理方法推广到混响室内在强大声源激发下的非线性单频混响声场,求得各谐波声场和总声场的统计分布函数。
本文实验采用数字测量技术,对混响声场进行了大量的测量,得到的实验结果与理论符合良好。 相似文献
本文实验采用数字测量技术,对混响声场进行了大量的测量,得到的实验结果与理论符合良好。 相似文献
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本文采用固定入射角,改变入射光偏振方位角的方法从实验上了研究了锗薄膜的透射光学二次谐波产生及其变化规律,并从理论上推导了产生透射二次谐波的表达式,最后拟合求得描述面谐波电流的唯象参数a。 相似文献
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我们已报道过YBa2Cu3O7-δ(YBCO)的过热现象并且对其过热的机制进行了研究[1~2] .在本文的工作中,主要研究了YBCO薄膜的微结构对于其过热行为的影响.通过高温金相显微镜对具有不同微结构的YBCO薄膜的不同的熔化行为进行了实时观测,并且用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对这些具有不同品质的薄膜进行表征.结果表明, YBCO薄膜的微结构对于其过热度以及整个薄膜熔化的过程有很大的影响,高品质的薄膜具有低界面缺陷比率,由此导致了其在熔化过程中较高的过热度.本文同时在实时观测,AFM和XRD所得到实验结果的基础上,通过半共格界面能的理论很好的解释了YBCO薄膜在不同的微结构情况下体现出来熔化和过热行为的差异. 相似文献