光子结构函数的直接检验

本文基于喷注电荷截面方法,提出了一种直接测量光子结构函数的可行方案。 关键词：     

喷注电荷截面方法

我们提出了一种新的计算方法(喷注电荷截面)。用这种方法进行微扰QCD计算,不但能像末态正反强子截面差dσ(AB→h⁺X)—dσ(AB→h^-+X)那样少受海夸克和胶子分布函数的影响,而且与任何部分子的碎裂函数无关。用这种方法还可以在不能识别夸克味道的实验条件下,间接测定各种夸克喷注的平均电荷。 关键词：     

一种在ISR能量下精确检验α_s的方法

本文用微扰QCD计算了以下过程的截面差。 (a)dσ(pp→Jet_(大PT) γ_(大PT) X)-dσ(pp→Jet_(大PT) γ_(大PT) X) (b)dσ(pp→2γ_(大PT) X)-dσ(pp→2_(大PT) X) (c)dσ(K~-p→Jet_(大PT) γ_(大PT) X)-dσ(K~ p→Jet_(大PT) γ_(大PT) X) (d)dσ(K~-p→2γ_(大PT) X)-dσ(K~ p→2γ_(大PT) X) (e)dσ(pp→2Jet_(大PT) X)-dσ(pp→2Jet_(大PT) X)发现胶子和海夸克的分布函数以及许多部分子的碎裂函数都不出现在这些截面差的计算结果中。将这些结果与实验数据作比较,在不必区分胶子喷注与夸克喷注的情况下,有可能精确测定α_s/α的比值。本文还探讨了进一步提高测量精度的可行方案。     

用喷注电荷截面方法考察胶子信息

本文通过对反应:p+p→γ+Jet+X,γ+p→2Jets+X,γ+p→h+Jet+X的喷注电荷截面的分析,分别给出了检测质子中胶子分布函数,提取胶子喷注信息以及确定胶子碎裂函数的方法。 关键词：     

γ,p碰撞生两个大PTγ的反应截面的QCD预言

我们在γ-p质心系里用微扰QCD方法计算了γ+p→2γ(大P_T)反应的双微分截面d2σ/dx_Tdx_L, 并分析了它的两种可能的背景(γ+p→γ+q(q)和γ+p→γ+q(q)). 文中指出, 利用该反应所具备的大p_T光生和直接光子对出射过程的双重特点, 可以把这两种背景大大压低. 计算结果表明, 用QCD预言的γ+p→2γ(大P_T)反应不但具有本底干净的显著特点, 而且在相当大的(x_T, x_L)范围内, 计算得到的反应截面可以在目前的实验精度下测量. 因而, 在实验上精确测定此过程, 对于检验QCD上有意义的.     

等级依赖效用下最优投资问题的扩展研究

本文在文献[https://ssrn.com/abstract=3135695]的基础上,去掉了等级依赖效用投资者的概率加权函数的连续性和单调增加的严格性,以及其原始效用函数的连续可微性.通过引入一般单调函数的广义逆函数以及凹函数的超微分,克服了分析上所带来的新的困难,证明了新模型最优解的存在性并给出其显式表达.     

在大横动量直接光子出射过程中检验强子的胶子分布函数

本文探讨了强作用中截面差Δ_AB=dσ(AB→cγX)-dσ(AB→cγX)的物理含义, 给出了挑选对截面差有贡献的子过程的简单规则. 并建议在大横动量直接光子出射的条件下, 通过测量截面差及其组合检验强子的胶子分布函数. 同时, 还得到了这些截面组合一相应质子、中子、π介子和K介子中的胶子分布函数之间的简单关系:G_p(x)/(Δ_pp－Δ_pp)=G_n(x)/(Δ_np－Δ_np)=G_π(x)/(Δ_π+p－Δ_π－p)=G_K(x)/(Δ_K+p－Δ_K－p),它们可望在实验上得到检验.     

一种在ISR能量下精确检验αs的方法

本文用微扰QCD计算了以下过程的截面差.     

γ,p碰撞生两个大P_Tγ的反应截面的QCD预言

我们在γ-p质心系里用微扰QCD方法计算了γ p→2γ_((大P_T))反应的双微分截面(d~2σ)/(dx_Tdx_L),并分析了它的两种可能的背景(γ p→γ q(?)和γ p→γ q(?),文中指出,利用该反应所具备的大_(P_T)光生和直接光子对出射过程的双重特点,可以把这两种背景大大压低,计算结果表明,用QCD预言的γ p→2γ_((大P_T))反应不但具有本底干净的显著特点,而且在相当大的(x_T,x_L)范围内,计算得到的反应截面可以在目前的实验精度下测量。因而,在实验上精确测定此过程,对于检验QCD是有意义的。