单电子能量的解析隐函数表示

本文提出多核体系中单电子能量的解析隐函数表示。此方法建立在直接空间里的原子轨道线性组合和动量空间里波函数的表示。从理论上讲,任何级别的精确值都可以用叠代法求得。文中还讨论了此方法在和键角键长变化有关的分子课题中的可能应用。     

广义振子强度密度

根据Born近似,可以计算高能电子碰撞激发的总截面和微分截面。微分截面是和所谓的广义振子强度成正比的。电子碰撞过程可将靶原子或离子激发至无数的束缚态、自电离态和对应的连续态,多通道量子数亏损理论能够统一地处理这些激发态。因此可以定义每单位激发能内的广义振子强度为广义振子强度密度。本文以Li原子为例,总结其广义振子强度密度随激发能量和动量转移而变化的规律,并和最近精确的实验结果进行了比较,明确了Born近似的适用范围。 关键词：     

电子碰撞激发截面与速率(Ⅰ) 自旋守恒的激发过程

根据广义振子强度密度的通道特性和等电子系列的准标度关系,Bethe公式中相应的参数(即Bethe物理参数组)也具有同样的特性,利用Bethe物理参数组可容易地由Bethe公式计算得到自旋守恒过程的截面。本文定义精确的截面与Bethe截面之比为校正函数,在50％精度内校正函数显示了较好的普适性,由此可以计算自旋守恒的电子碰撞激发过程的截面与速率,这里,各种激发过程包含由电子碰撞而跃迁至无限个激发末态的过程——形成所谓的激发通道。     

电子碰撞激发截面与速率(Ⅰ)——自旋守恒的激发过程

根据广义振子强度密度的通道特性和等电子系列的准标度关系,Bethe公式中相应的参数(即Bethe物理参数组)也具有同样的特性,利用Bethe物理参数组可容易地由Bethe公式计算得到自旋守恒过程的截面。本文定义精确的截面与Bethe截面之比为校正函数,在50％精度内校正函数显示了较好的普适性,由此可以计算自旋守恒的电子碰撞激发过程的截面与速率,这里,各种激发过程包含由电子碰撞而跃迁至无限个激发末态的过程——形成所谓的激发通道。 关键词：