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制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压(开启电压)为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法.
关键词:
有机光发射晶体管
垂直
电容 相似文献
4.
We fabricate pentacene-based organic field effect transistors (OFETs) with Cu as source and drain (S-D) electrodes. The fabricated devices stored for ten hours under ambient atmospheric conditions exhibit superior performance compared with the as-prepared devices. The field-effect mobility increases from 0. 012 to 0.03 cm^2 V^-1 s^-1, and the threshold voltage downshifts from -14 to -9 V. The on/off current ratios are close to the order of 10^4. The improved performance of the stored devices is attributed to the formation of thin Cu oxide at the Cu electrodes/organic interfaces. These results suggest a simple and available way to optimize device properties and to reduce fabrication cost for OFETs. 相似文献
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制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压(开启电压)为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法. 相似文献
6.
利用C_(60)和Cu Pc形成有机半导体异质结作为阳极ITO修饰层,制备了高效绿色磷光有机发光二极管(OLEDs)。与常规MoO_3阳极修饰层相比,C_(60)(5 nm)/Cu Pc(25 nm)面异质结修饰器件的最大电流效率和外量子效率(EQE)提高了12%和11%,分别为60 cd/A和16.8%;而Cu Pc∶C_(60)(30 nm,50%)体异质结修饰器件则提高了26%和27%,分别为67 cd/A和19.3%。高的器件效率一方面归因于C_(60)与Cu Pc异质结界面处积累的电荷会在电压的作用下形成高效的电荷分离和空穴注入,另一方面归因于异质结具有吸收绿光光子形成光生载流子的光伏效应。利用Cu Pc∶C_(60)体异质结修饰阳极的器件由于具有更高效的电荷积累、更合适的空穴传输性、更平衡的载流子复合和更好的光伏特性,器件效率要比C_(60)/Cu Pc更优。研究表明,这种基于C_(60)与Cu Pc的有机半导体异质结可作为优越的ITO阳极修饰层。 相似文献
7.
We have fabricated organic Schottky barrier diodes with Cu/LiF/C60/Al andwiched construction. Cu and Al are selected as the cathode and the anode, respectively. C60 is used as the organic layer and LiF as the buffer layer inserted between the cathode and C60. After the annealing process, Schottky contact is well formed at the Al/C60 interface and Ohmic contact is formed at the (Cu/LiF)/C60 interface. The current density-voltage (J-V) measurements of the diodes present nonlinear behavior. As a result, the rectification ratio reaches 1×03. The characteristics of the diodes have been analyzed using the energy band diagram. The values of Schottky barrier height ΦB, ideality factor n and reverse saturation current density Js are extracted according to the standard thermionic emission model. 相似文献
8.
合成了3种基于异佛尔酮的新型单晶荧光材料:3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-苯乙烯基环己烯(DCDSC)、3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-(3-羟基苯乙烯基)环己烯(DCDH3C)及3-二丙烯腈基-5,5-二甲基-1-(4-羟基苯乙烯基)环己烯(DCDH4C)。通过氢核磁共振谱和元素分析确定了它们的分子结构。通过单晶X射线衍射获得了3种材料的晶体结构数据。DCDSC、DCDH_3C和DCDH_4C的紫外吸收光谱依序分布在长波区的390,398,424 nm,短波区分布在268,269,283 nm。DCDSC、DCDH3C和DCDH_4C在THF中的最大发射峰分别位于522,549,567 nm。与DCDSC相比,3位羟基取代的DCDH3C的发射波长红移了27 nm,而4位取代羟基的DCDH4C的发射波长红移了45 nm。其主要原因在于DCDSC、DCDH_3C和DCDH_4C存在不同的氢键作用,当然,取代基的类型及位置等也可能对材料的发射波长产生一定作用。 相似文献
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