直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词： 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁     

虚拟仪器在射频超导量子干涉仪控制电路中的应用

本文简要介绍LabVIEW开发的射频超导量子干涉器（rf SQUID）自动控制系统的虚拟仪器，系统可对超导量子干涉器的工作点进行调整和显示，实现了LabVIEW软件系统与第三方硬件的结合．本文将对系统工作原理、硬件电路组成和软件的设计做简要介绍．     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。     

La_4Ga的超导电性

用高速液相淬火方法获得了非晶态La_4Ga。然后在80千巴高压下对非晶样品进行不同温度的退火处理,在450℃获得了一个单相的La_4Ga化合物,其T_c值为6.5。     

基于嵌入式系统的射频超导量子干涉仪控制系统

本文介绍了嵌入式系统在射频超导量子干涉仪控制系统中的应用,提出了嵌入式系统的整体方案,并对系统工作原理以及设计思想做了简要介绍.     

高压高温处理对A15Nb_3(Al,Ge)结构成分及其超导性能的影响

在0—67kbar压力范围,对名义成分为Nb_3(Al_(1-x)Ge_x)的合金(x=0.20,O.23,0.25;含有Al5 σ相)进行了热处理。X射线分析表明:1)随着压力的升高,Al5相的晶胞参数a_0出现极大值;2)与Al5相结构成分密切相关的衍射峰(211),(210)的相对累积强度I~(211)/I~(210)随压力的变化与a_0的变化类似;3)Al5相结构成分随压力向着富Nb的方向移动。低温测试结果表明:随着压力的升高,试样的超导转变温度降低,转变宽度出现极大值。     

稀土La及其化合物La_3In超导性的初步研究

使用纯度为98.0％的La,用悬浮熔炼法制备了La_3In,其T_c为8.9K。并观察了液相高速淬火和氧化对La及La_3In T_c的影响.     

电子束蒸发在不同Ar气氛下外退火制备MgB2超导薄膜

制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(~900℃)和中温区(~750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc~35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.     

低温高压及高温高压对La_(80)Al_(20)非晶态结构及超导性的影响

用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La_(30)Al_(20)合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_(cr)为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压(25kbar,～160℃,40min)处理后,X射线衍射仪分析结果表明:发生了由非晶态→晶态的结构相变。相变产物由平衡相α-La和新的亚稳过渡相组成。其T_c从～3.9K提高到5.7K,该亚稳相结构与化学成分尚不清楚。本文并对所获得的实验结果进行了讨论。     

YBCO沟槽型台阶结和rf SQUID的制备及性能研究

本工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ＹＢＣＯ）超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器（ｒｆＳＱＵＩＤ）．液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到２．０×１０－４Φ０／Ｈｚ和２９４ｆＴ／Ｈｚ．涂有真空导热硅脂作保护层的器件,至今寿命已达１０个月,经历了３０次以上（个别器件达５０次）测试过程中从液氮到室温的冷热循环,性能没有明显的变化,表现出很好的稳定性．通过研究,解决了制备ｒｆＳＱＵＩＤ器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到３０％～５０％．