推广x重新标度模型的重标度参数经验公式

给出了推广x重新标度模型的重标度参数经验公式,其中建立了重标度参数与原子核的平均结合能之间的联系,由该公式可以得出A≥12的所有核的重标度参数值,利用这些参数值可以计算有关核过程并做出预言.     

迈克尔逊干涉仪中补偿板与干涉条纹

通过分析缺失补偿板的迈克尔逊干涉仪中的附加光程差,推出干涉条纹满足的方程式,并用计算机模拟了动镜移动过程中变化的干涉条纹,与实验结果相一致.     

自由模的自同态环之间的同构

本文主要结果如下:(1)证明了两个自由模及是半线性同构当且仅当End_F与End_G是严格的环同构(见定义1)。(2)用不同方法证明并推广了1985年Bolla用范畴方法来描述End_F与End_G之间的环同构。(3)1962年Wolfson定理是我们的推论。     

双维位置灵敏CsI(Tl)探测器

描述了一种双维位置灵敏CsI(Tl)探测器.用3组分α源测量该探测器得到的位置分辨为0.81mm(FWHM),对于69MeV/u ³⁶Ar能量分辨为0.9％(FWHM).在RIBLL的ΔE-E粒子鉴别望远镜中常常作为E探测器.由于CsI(Tl)晶体对不同的粒子的能损-光输出的非线性,需要针对不同离子对CsI探测器作能量-光输出校正曲线.     

高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

2,3-二羟基萘钼多酸有机衍生物的合成及1H NMR和IR谱学研究

本文对二种新合成的2，3－二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ）和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究，发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移，而在配合物Ⅱ中2，3－二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化，说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

Yetter-Drinfel'd范畴中辫化余交换余代数

本文研究与Ｈｏｐｆ代数Ｈ关联之ＹｅｔｅｒＤｒｉｎｆｅｌ’ｄ范畴ＹＨＤ中的辫化余交换余代数Ｃ，证明ＨＹＤ中左Ｃ－余模范畴ＨＹＤ是张量范畴，且ＨＹＤ中辫结构Ψ诱导ＣＨＹＤ中一辫结构当且仅当对ＣＨＤＹ中任意对象Ｎ有ΨＮ，ＣΨＣ，ＮＣΓＮ＝ＣＹＤΓＮ；由此导致新的辫化张量范畴．     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.