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1.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。  相似文献   
2.
考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ-Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。  相似文献   
3.
We study the energy levels of an electron (or hole) polaron in a parabolic quantum well structure,including the spatial dependence of the effective mass.We also consider the two-mode behaviour of longitudinal optical phonon modes of the ternary mixed crystals in the structure,in the calculation of the effect of the electron phonon interaction.We calculate the ground state,the first excited state and the transition energy of an electron (or hole) in the GaAs/AlxGa1-xAs parabolic quantum well structure.The numerical results show that the electron-phonon interaction obviously affects the energy levels of the electron (or hole),which are in agreement with experimental results.  相似文献   
4.
吴云峰  梁希侠  BajaK.K. 《中国物理》2005,14(11):2314-2319
The binding energies of excitons in quantum well structures subjected to an applied uniform electric field by taking into account the exciton longitudinal optical phonon interaction is calculated. The binding energies and corresponding Stark shifts for Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor quantum well structures have been numerically computed. The results for GaAs/A1GaAs and ZnCdSe/ZnSe quantum wells are given and discussed. Theoretical results show that the exciton-phonon coupling reduces both the exciton binding energies and the Stark shifts by screening the Coulomb interaction. This effect is observable experimentally and cannot be neglected.  相似文献   
5.
利用统计力学理论结合格点模型,讨论了链状蛋白质分子溶液的热力学性质. 结果表明,对于稀溶液来说,溶液的吉布斯函数随蛋白质浓度的增加而降低,蛋白质分子化学势随其浓度增加而升高. 还分析了蛋白质分子链长及温度对溶液吉布斯函数和蛋白质分子化学势的影响. 并且计算讨论了几种第一类抗冻蛋白的化学势.  相似文献   
6.
7.
We study the effects of electron-phonon interaction on the electron ground state in a symmetric triangular quantum well, and calculate the ground state energy of an electron in the GaAs/Al0.96Ga0.04As triangular quantum well including the effects of the interaction between electrons and confined LO phonons by using a modified Lee-Low-Pines variational method. The electron wavefunction in the triangular well is chosen as the Airy function. The numerical results are given and discussed.  相似文献   
8.
本文介绍近年来内蒙古大学为应用物理、电子科学与技术专业开设2学分"统计热力学"(热力学与统计物理学)课程的教学方案设计及教学实践.该课程在32学时的授课中,可做到基本理论、方法及应用几个方面的统筹兼顾,且保证了热力学与统计物理课程知识体系的系统性和完整性.  相似文献   
9.
静压下Zn1-xCdxSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量(体积)等诸多物理量的影响,用变分法计算了静压下Zn1-xCdxSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化理论计算结果与其他作者的实验和理论结果进行了比较和讨论.  相似文献   
10.
包锦  梁希侠 《中国物理 B》2010,19(9):94101-094101
The interface phonon-polaritons in quantum well systems consisting of polar ternary mixed crystals are investi-gated. The numerical results of the interface phonon-polariton frequencies in the GaAs/AlxGa1-xAs, ZnSxSe1-x/ZnS, and ZnxCd1-xSe/ ZnSe quantum well systems are obtained and discussed. It is shown that there are six branches of interface phonon-polariton modes distributed in three bulk phonon-polariton forbidden bands in the systems. The electric fields of interface phonon-polaritons are also presented and show the interface locality of the modes. The effects of the ’two-mode’ and ’one-mode’ behaviours of the ternary mixed crystals on the interface phonon-polariton modes are shown in the dispersion curves.  相似文献   
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