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对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zni?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zni?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证. 相似文献
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