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用弹性光散射方法研究了间规聚苯乙烯(s-PS)的非等温冷结晶行为和等温结晶动力学.结果表明,弹性散射信号对s-PS的冷结晶过程中的构象变化非常敏感.弹性散射法所得的大分子链玻璃化转变温度Tg以及冷结晶温度Tc与DSC的测量结果一致.此外,通过散射强度随温度的变化可以更为清晰地分辨出冷结晶过程中各个阶段,包括晶体成核期,晶核生长期以及二次结晶期.通过等温弹性散射测试,同时结合Arrhenius方程,计算得到s-PS冷结晶表观活化能Ea为309 kJ/mol. 相似文献
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碳交易政策背景下,以制造商主导的再制造闭环供应链为研究对象,分析了碳交易价格和碳减排成本对产品零售价格、回收价格、碳减排水平和碳排放量的影响,并与无碳交易政策情形下的相关变量进行比较,为企业的生产决策和政府碳交易政策的制定提供参考.研究表明:政府的低碳技术推广可以促使企业选择更高的碳减排水平,碳交易价格越高则废旧产品的... 相似文献
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基于大气压微波等离子体发射光谱法,分析了磷、氯类毒剂模拟剂甲基膦酸二甲酯(Dimethyl methylphosphonate, DMMP)、马拉硫磷和三氯甲烷的特征谱线/谱带,建立了磷、氯类毒剂模拟剂的检测方法。其中,DMMP特征光谱为P原子谱线(213.62、 214.91 nm)、 PO基团谱带(254.04、 255.50 nm)和C原子谱线(247.86 nm);马拉硫磷特征光谱与DMMP相同,但PO基团谱带与C原子谱线相对强度有明显差异,可用于二者判别;三氯甲烷特征光谱为Cl原子谱线(725.66、 754.71、 837.59、 858.60、 894.81 nm等)。针对微波功率对检测效果的影响,以DMMP为例,其特征光谱强度与微波功率在40~110 W范围内呈线性关系;对于光谱收集区域的影响,实验表明,微波等离子体头部待测物特征光谱强度最高,中间和尾部依次降低。在微波功率为70 W的条件下,收集等离子体头部特征光谱,分别获得了不同毒剂模拟剂的检出限,其中,DMMP的检出限低至0.05 mg/m3,马拉硫磷的检出限为3.3 mg/m3 相似文献
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企业的研发活动具有高度风险性和不确定性,研发最终输出结果很难预料.在假设研发产出随机的基础上,构建了由1个风险厌恶的上游企业和n个风险中性的下游企业组成的供应链纵向研发合作模型,上下游企业采用固定比率分担法分摊研发费用,利用条件风险估值CVaR理论,研究了上游企业的风险规避度和RJV规模对企业利润、消费者剩余和社会福利的影响.研究结果表明,当上游企业的风险规避度增大时,上游企业的目标函数值、下游成员企业的利润以及消费者剩余、社会福利都会随之增大.上游企业的目标函数值随着RJV规模的增大而增大,而下游成员企业利润和社会福利先是随着RJV规模的增大而增大而后则随着RJV规模的增大而减小. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度. 计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2 体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂. 研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.
关键词:
阻变存储器
复合材料
界面
电子通道 相似文献
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氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n~+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×1018 cm-3时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm~2、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm~2,品质因子可达123.09 MW/cm~2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n~+外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n~+外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n~+外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合影响,其中镜像力和串联电阻对势垒的降低作用较小,而高电场下隧穿效应变得十分显著,使得热发射电流增大的同时,隧穿电流得到大幅度提升,从而进一步提升了氧化镓肖特基二极管的性能. 相似文献
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试样用硝酸加压消解(测总砷),或用盐酸(1+1)溶液在60℃浸取(测无机砷)。以硫脲溶液作为预还原剂,以硼氢化钾溶液作为还原剂,利用原子荧光光谱法测定中药材中砷的含量。分析中采用载气及屏蔽气的流量依次为400mL·min-1及900mL·min-1。砷(Ⅲ)的荧光强度与其质量浓度在80.0μg·L-1以内呈线性关系,方法的检出限(3s/k)为31ng·L-1。应用此法对中药材样品进行分析,样品中总砷测定值在139~372ng·g-1之间,加标回收率在89.0%~93.3%之间;无机砷测定值在41~103ng·g-1之间,加标回收率在86.0%~92.0%之间。 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法和VASP软件对电荷俘获存储器过擦现象进行了分析研究.通过形成能的计算,确定了含有氮空位缺陷的Si3N4和含有间隙氧缺陷的Hf O2作为研究的对象;俘获能的计算结果表明两种体系对电子的俘获能力比对空穴的大,因而对两体系擦写载流子确定为电子.分别计算了Hf O2和Si3N4擦写前后的能量、擦写前后电荷分布变化、吸附能和态密度,以说明过擦的微观机理.对能量和擦写电荷变化的研究,表明Si3N4相比于Hf O2,其可靠性较差,且Si3N4作为俘获层,在一个擦写周期后,晶胞中电子出现减少现象;界面吸附能的研究表明,Si3N4相比于Hf O2在缺陷处更容易与氧进行电子交换;最后,通过对态密度的分析表明Si3N4和Hf O2在对应的缺陷中均有缺陷能级俘获电子,前者为浅能级俘获,后者为深能级俘获.综上分析表明,Si3N4在氮空位的作用下,缺陷附近原子对电子的局域作用变弱,使得Si3N4作为俘获层时,材料本身的电子被擦出,使得擦操作时的平带偏移电压增大,导致存储器发生过擦.本文的研究结果揭示了过擦的本质,对提高电荷俘获存储器的可靠性以及存储特性有着重要的指导意义. 相似文献