早晚的太阳真特别大吗?

“早晚的太阳特别大”这一问题的准确提法是：当太阳的地平高度（简称高度）小的时候比高度大的时候，显得特别大．实际上，对于月亮以至星座都有相同感觉．而且，这种感觉上的大小差异不是百分之多少而是好几倍，所以很容易察觉．下面我们就来分析一下产生这种感觉的原因．     

流场非线性特征提取与混沌分析

为解决传统方法在判断离心压气机动态失稳过程中因信号强非线性导致误判错判,针对其动态时序属非线性信号,基于分形理论提出自适应变分模态分解(adaptive variational mode decomposition with fractal,AFVMD)方法以同时实现降噪与非线性特征提取,采用相空间重构法还原系统动力学结构.以某离心压气机失稳过程中叶轮动态压力数据为对象,验证所提出算法的优越性,分析其吸引子状态.结果表明:在处理具有非线性特征的含噪信号时, AFVMD比小波降噪具有更好的降噪效果与特征提取能力;相空间将失速发展过程可视化,最小流量状态所对应的相空间呈现"毛球状";随失速的发展,相空间将逐渐发散;经小波与AFVMD方法预处理的信号所对应相形对失速过程更加敏感;通过经AFVMD处理的信号进行重构可更早捕获失速征兆,其更小的最大Lyapunov指数表明该方法提升了流动混沌系统的可预测性,为压气机失稳分析、预测提供新思路与方法.     

极紫外反射镜氧化物保护层的制备与表征EI北大核心CSCD

极紫外(EUV)反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积,严重影响了极紫外光刻(EUVL)技术的工业应用。为了延长EUV反射镜的稳定性与使用寿命,一般采取在Mo/Si多层膜表面添加保护层。采用直流反应磁控溅射技术,建立氧气流量与溅射电压之间的"迟滞回线"关系,进而准确掌握不同氧化物保护层所需氧气量,以此减少过多的活性氧对下层Mo/Si多层膜的影响,提高镜面的反射率。选用Ru O2与Ti O2两种保护层材料进行比较,根据充氧量的不同,分析不同反应阶段的薄膜特性。针对催化性和物理稳定性更好的Ti O2薄膜,在晶相、表面粗糙度、截面均匀性和化学组分等方面给予评价。研制出膜质致密均匀的非晶态Ti O2薄膜,其表面粗糙度优于100 pm;Ti O2纯度(质量分数)达97.2%;保护层厚度为2 nm的Mo/Si多层膜的反射率损失小于5%,满足EUV外多层膜的基本要求。     

g-C3N4/CeO2异质结材料的制备及其光催化性能的研究

以三聚氰胺、硝酸铈为原料,通过高温煅烧法制备了不同CeO₂含量的片层状g-C₃N₄/CeO₂,通过XRD、FT-IR、XPS等对系列g-C₃N₄-CeO₂材料进行了表征,考察了材料在可见光(λ≥420nm)条件下降解盐酸四环素(TC)的光催化活性。与单纯的g-C₃N₄相比,g-C₃N₄/CeO₂-30%具有更优异的光催化性能,这是由于g-C₃N₄-CeO₂间的异质结作用促进了光生电子和空穴分离。自由基捕获实验证实·O^-₂在催化反应过程中起到主要作用,并提出了相应的光催化机理。     

单烷基乙二胺稀水溶液头基相互作用自组装形成 双分子膜

提出普通表面活性剂(单链两亲分子)亲水头基相互作用诱导疏水尾链平行聚集形成双分子膜的新机制。设计和合成了系列单烷基取代乙二胺C~nH~2~n~+~1NHC~2H~4NH~2(n=8,12,14,16,18)。通过电镜形态,分散液凝胶/液晶相变和对应铸膜的二维双层结构,表明单链两亲分子头基相互作用和脂链引入刚性片断一样,两者形成的双分子膜具有类似的结构和性能;展示了各体系取代乙二胺双层结构和性能的密切联系。指出了广泛认同的单链两亲分子形成双分子膜必须引入刚性片断的单一成膜机制的片面性,为组装新一类功能头基表面活性剂双分子膜独辟蹊径。     

铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究

利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列.微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利用X射线光电子能谱对制备的铜掺杂类金刚石纳米点阵列进行结构分析,测得铜的掺杂量为3.6;且sp3键含量高达60;;通过对铜掺杂类金刚石纳米点阵列的场发射性能测试,试验结果表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列开启电场和阈值电场分别为0.08V/μm,0.42V/μm,并且在电场值为0.67V/μm时,发射电流密度高达95mA/cm2,场发射性能明显优于无掺杂类金刚石纳米点阵列.     

碘化铯晶体中电子型色心的电子结构研究

运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα)模拟计算了完整的和含有F心、F+心以及F2心的碘化铯(CsI)晶体的电子结构,得到了含F心和F+心以及F2心的CsI晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F心和F2心的CsI晶体的禁带宽度明显变窄,F心和F2心的能级都出现在禁带中并且作为施主能级位于导带底部,利用过渡态理论计算得到其能级向Cs的5d轨道发生光学跃迁,能量跃迁值分别为1.69eV和1.15eV,该结果与实验结果完全一致,F+心没有能级出现在禁带中.计算结果从理论上成功地解释了碘化铯晶体经过辐照后电子型色心所产生的吸收带起源问题.     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。     

Terahertz emission in tenuous gases irradiated by ultrashort laser pulses

Mechanism of terahertz (THz) pulse generation in gases irradiated by ultrashort laser pulses is investigated theoretically. Quasi-static transverse currents produced by laser field ionization of gases and the longitudinal modulation in formed plasmas are responsible for the THz emission at the electron plasma frequency, as demonstrated by particle-in-cell simulations including field ionization. The THz field amplitude scaling with the laser amplitude within a large range is also discussed.     

Terahertz emission in tenuous gases irradiated by ultrashort laser pulses

Mechanism of terahertz (THz) pulse generation in gases irradiated by ultrashort laser pulses is investigated theoretically. Quasi-static transverse currents produced by laser field ionization of gases and the longitudinal modulation in formed plasmas are responsible for the THz emission at the electron plasma frequency, as demonstrated by particle-in-cell simulations including field ionization. The THz field amplitude scaling with the laser amplitude within a large range is also discussed.