(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx作为种子层对NiFe/FeMn交换偏置的影响

采用一种新的种子层材料:(Ni081Fe019)1-xCrx,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFeFeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFeFeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对交换偏置的影响.实验结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,过大的反铁磁层晶粒不利于交换偏置场.将(Ni081Fe019)05Cr05与传统的种子层材料Ta进 关键词： 交换偏置 晶粒尺寸 织构 种子层     

原子探针的发展及其对金属内界面的研究

简要介绍了原子探针，特别是三维原子探针（３ＤＡＰ）的最新发展及其特点３ＤＡＰ在探测到单个原子位置的同时能临别其种类，因而几乎能以原子分和显示出材料中大部分原子在实空间中的三维分布，文章例说明了常规ＡＰ和３ＤＡＰ在研究金属内界面中的应用。     

二元合金界面平衡偏析的预测——Ⅰ.晶界偏析与晶间脆性的预测

本文首先评述了可用于预测界面平衡偏析的理论:理解偏析规律及影响因素,讨论了如何获得用于预测参量的方法;其次,提出预测晶界偏析及表面偏析的方法和程序.     

Ni3Fe的有序化和反相畴界的FIM-AP研究

实验用场离子显微镜(FIM)和原子探针(AP)研究了Ni₃Fe的有序化和反相畴界(APB)。结果表明Ni₃Fe的有序转变虽属均匀有序转变,但转变过程并不是真的“均匀”。FIM照片和AP台阶图都证实了{200}晶面上保守反相畴界和NiNi型、FeNi型非保守反相畴界的存在。论文用Morse势估算了{200}晶面上APB的能量。计算表明,平行非保守APB对的能量低于保守APB的能量。     

Bi对自旋阀钉扎场的影响及机理

实验发现将Bi插入自旋阀多层膜TaNiFeCuBi(x)NiFeFeMn中可以显著地提高自旋阀的钉扎场Hex.采用XPS对Cu,Bi元素的分布情况进行了研究,发现Bi的插入明显抑制了Cu原子在自旋阀的制备过程中在NiFeFeMn界面的偏聚.进一步研究表明:自旋阀钉扎层NiFeFeMn界面中,Cu原子的存在是导致自旋阀Hex小于TaNiFeFeMn多层膜Hex的主要原因. 关键词： 自旋阀 钉扎场 交换各向异性 表面活化剂     

物理学与材料科学结合的机遇与挑战

物理学，特别是凝聚态物理学与材料科学的交叉在近几十年已取得丰硕的研究成果，文章分四部分：（1）简要介绍了材料与材料科学的基本概念；（2）回顾近代历史上物理学与材料科学交叉的一些典型例子；（3）介绍在表面和界面、缺陷、理论和模型、微结构表征、新材料以及新工艺等领域物理学与材料科学交叉的简况及材料研究的一些前沿问题；（4）讨论物理学在纳米材料发展中的作用。     

Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/Fe Mn双层膜交换偏置场的影响

采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的一系列NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明,以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因. 关键词： NiFe/FeMn 交换偏置场 织构 表面粗糙度     

具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜的交换偏置

采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜.研究结果表明,多层膜的垂直交换偏置场Hex和反铁磁层厚度的关系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期数的增加,垂直交换偏置场Hex相应减小,并且与铁磁层的调制周期数近似成反比关系.(Pt/Co)3/FeMn的垂直交换偏置场Hex已经达到22.3kA/m.为了进一步提高Hex,在Co/FeMn的界面插入Pt层,当Pt层厚度为0.4nm时,Hex达到最大值39.8kA/m.     

利用界面偏析控制沿晶断裂——Ⅱ.晶界偏析与晶间脆性的预测

本文采用准化学方法对于二元合金系导出晶界偏析对沿晶断裂功W影响的表达式,并引入沿晶断裂参量P.当P>0和P<0的杂质分别为脆化及韧化杂质;|P|愈大,脆化或韧化趋势愈大.同时在Seah理论的基础上,提出了4点改进,解决了若干错划问题.     

Cu掺杂对FexPt1－x薄膜有序化的影响

利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(Fe_xPt_1-x)_100-yCu_y(x=0.46—0.56,y=0,0.04,0.12) 样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt的原子比.实验结果表明，当x>0.52时，样品中添加Cu不能促进FePt的有序化，但是对于FePt化学原子定比或富Pt的样品，添加Cu可以促进FePt有序化，而且随着Fe含量的减少，需要更多的Cu添加才能实现较低温度下FePt薄膜的有序化.实验结果表明，原子比(FeCu)/Pt达到1.1—1.2的范围时，即可实现较低温度的有序化. 关键词： 0-FePt有序相')" href="#">L1₀-FePt有序相 磁控溅射 有序度 Cu掺杂