浅杂质势与窄量子阱的耦合作用

本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga_1-xAl_xAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。 关键词：     

用原子集团的有序-无序相变理论研究Fe_xCu_(1-x)系统的非晶相形成

借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_(ix)合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。     

硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构

本文在局域密度近似下利用从第一原理出发的标量相对论(scalar-relativistic)自洽LMTO-ASA方法,计算了CdSe,CdTe和SnSe的能带结构。计算中在高对称间隙点引入“空球”,晶体势的非球对称分量也得到了适当的考虑。计算结果与其它非自洽计算结果及实验结果进行了比较和讨论。 关键词：     

Ⅱ—Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子，激子增益；（４）量子线，量子点及稀磁半导体。     

用原子集团的有序-无序相变理论研究FexCu1-x系统的非晶相形成

借助Kikuchi四面体原子集团变分方法,引入二体相互作用参量,讨论了Fe_xCu_1-x合金fcc结构的相图,并估算了在相变区中系统晶格常数的变化,指出非晶相的形成是由于晶格畸变的结果。 关键词：     

原子位形几率波理论的应用——复合钙钛矿材料的有序结构类型

本文应用原子位形几率波理论,研究了复合钙钛矿结构形成最稳定超晶格的原子排列,首次从理论上得到七种基本有序结构,并同已知的实验结果作了比较。     

(GaAs)1-xGe2x系统中的有序结构及其电子性质

从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)_1-xGe_2x系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的材料的电子特性差别很大。材料中Ga-Ge和Ge-As键的比率越高,材料越有可能呈现金属性。 关键词：     

Two Electrons with Spin-Orbit Interactions in InAs Coupled Quantum Dots

We theoretically study the spin properties of two interacting electrons confined in the IhAs parallel coupled quantum dots （CQDs） with spin-orbit interactions （SOI） by exact diagonalization method. Through the SOI induced spin mixing of the singlet and the triplet states, we show the different spin properties for the weak and strong SOI. We investigate the coherent singlet-triplet spin oscillations of the two electrons under the SOI, and demonstrate the detailed behaviors of the spin oscillations depending on the SOI strengths, the inter-dot separations and the external magnetic fields. To better understand the underlying physics of the spin dynamics, we introduce a four-level model Hamiltonian for both weak and strong SOI, and find that the SOI induced in plane effective magnetic fields can be quantitatively extracted from the two-electron excitation energy spectra.     

超几何方程的解在函数展开中的应用

本文应用超几何方程在正则奇点邻域的解得到各种与超几何函数石关的函数在该邻域的展开式。对第一、二类完全椭圆积分不仅给出展开形式,而且列举了数值计算结果。     

电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子

本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_1-xAl_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105?的GaAs/Ga_0.66Al_0.34As量子阱,电场由0—1.2×10⁵V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。 关键词：