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为获得更优性能的无铟透明导电薄膜,需要在不损害薄膜透光性的同时提高导电性能.本文采用紫外光刻和磁控溅射,在Cu网格的表面覆盖Al掺杂的ZnO (ZnO:Al, AZO)薄膜,制备透明导电的AZO/Cu网格复合膜. Cu网格的线宽低至15μm,透光性极高,并且导电性能得到大幅度改善,覆盖稳定的透明导电AZO薄膜为Cu网格提供屏障保护.通过六边形网格形状的设计和工艺参数的优化,制备出的复合膜的可见光波段透过率达到86.4%,方块电阻降低至4.9Ω/sq,同时实现了高透光性和高导电性.成本低廉、光电性能好且环境稳定的AZO/Cu网格复合膜在透明电子领域具有广泛的应用前景,将其用于透明电加热膜,可在较低电压下实现快速、均匀、稳定的电热响应,有望作为透明的面发热膜应用于除雾除霜玻璃、热疗贴膜等. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。 相似文献
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脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能 总被引:1,自引:3,他引:1
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。 相似文献
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通过控制叠氮化物RN_3(R=Li, Na, K, Rb)与层状晶体β-MNCl (M = Zr, Hf) 反应的摩尔比,成功地对层状晶体β-MNCl(M=Zr, Hf)进行了电子掺杂,得到了转 变温度分别是13.5K和23.5K的超导体。实验结果还进一步表明,当摩尔比x=n (NaN_3)/n(β-ZrNCl)=0.3时,反应所得反插层化合物ZrNCl_(1-x)经450 ℃退火处 理后,其超导性质最好。作者同时利用XRD,TEM和SQUID测试结果,分析了化学反 应机理和电子掺杂原理,并研究了所得超导体在空气中的稳定性。 相似文献
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用改进的BP算法结合改进的点估计法来进行结构非线性随机分析的概率特性计算。在加权残值法计算的基础上,进行了两端刚固的闭合圆柱壳失稳的可靠性计算,表明了该方法的有效性。 相似文献
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通过使用各种不同的碱金属叠氮化物RN3(R=Li,Na,K,Rb)与层状晶体βMNCl(M=Zr,Hf)发生反应,并控制RN3与βMNCl反应的摩尔比对βMNCl进行电子掺杂.所有的生成物都显示了超导性,βZrNCl系列的起始超导转变温度均为13.5K,而βHfNCl系列的起始超导转变温度均为23.5K.但是,不同的碱金属叠氮化物具有不同的可反应性,其反应产物也具有不同的性质,例如超导体积百分率、晶格常数、热稳定性和在空气中的稳定性等都和碱金属离子有关.SQUID测试结果表明,NaN3和KN3分别是βZrNCl和βHfNCl最好的电子掺杂反应剂. 相似文献
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用一个包含了半导体探测器, 液体闪烁计数器和60%效率的HPGe探测器的四参数关联实验测量了252Cf(sf)反应的中子多重性和γ多重性与裂变碎片特征参数(质量, 总动能TKE)间的关联. 由于在测量裂变中子多重性绝对值的同时, 本工作首次从实验数据确定了特定碎片的γ多重性的绝对值, 故测量数据为进一步深入研究碎片角动激发提供了新的信息. 结果表明, 角动激发并不与裂变核在断点的形变成正关联, 但两者间却存在着复杂的关联特性. 实验数据不能从现有核理论的弯曲(bending)和扭动(wriggling)碎片角动量激发模式得到理解; 但可用碎片角动激发与裂变核的断点核激发能存在正关联而得到部分解释. 相似文献