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1.
沸水的声音     
曹阳 《物理实验》2004,24(8):4-4
有一个这样的故事:一次,在欧洲的阿尔卑斯山的一个隧道里,28t的炸药爆炸了.附近30km以内的居民都听见了爆发的巨响,离爆炸地点40km,50km的居民则一点也没有听到.这是否说明爆炸声的传播范围只有方圆30km呢?不是的.事实上,离爆炸地点往北远隔160km的地方,人们却很清晰地听到了这次爆炸声,这种现象就是“大音希声”现象.  相似文献   
2.
3.
周为群  陆路德  杨绪杰  曹阳 《化学学报》2004,62(16):1472-1476
合成了未见报道的N-(2-氟苯甲酰基)-N′-4-甲基苯基硫脲(FBTT),并测定了其晶体结构.晶体属三斜晶系,空间群P1,a=0.8413(5)nm,b=0.9532(5)nm,c=0.9927(6)nm,α=66.24(2)°,β=85.40(2)°,γ=72.27(2)°,V=0.693.2(7)nm3,Z=2.利用量子化学密度泛函理论,以步长为30°旋转扭角θ[N(2)-C(14)-N(1)-H(12)]得势能曲线.优化的最稳定的构型与得到的晶体结构一致.讨论了分子的构型,估算了氢键的键能.  相似文献   
4.
曹阳  邱国芳  王友良 《化学学报》1992,50(8):783-787
本文采用引入外场微扰的CNDO/S-CI方法, 计算了一系列取代共轭多烯分子的二阶非线性光学系数β~vec, 探讨了 取代基及共轭链长与分子微观非线性光学效应的关系和规律。结构表明:吸电子或供电子基团的引入, 有利于增强分子的微观非线性光学效应, 但该效应随取代基数目增多有减缓的趋势, "饱和"取代时由于"饱和效应"而使β~vec值降低; 取代基间的距离增大, 分子的β~vec值提高, 端基代时β~vec值最大; 取代共轭多烯的lnβ~vec与分子中所含双键数n之间具有线性关系。本文还对上述结论给出了理论解释。  相似文献   
5.
分子轨道图形理论的应用(Ⅲ)──估算E_π的断键法赵洪刚,杨开海,王长生,张继才,曹阳(辽宁师范大学化学系,大连,116022)(苏州大学化学系,苏州)关键词π电子总能量,矩,分子拓扑在分子轨道图形理论中,对一般的应用,π电子总能量Eπ的近似表达式就?..  相似文献   
6.
7—羟基4—甲基香豆素的倍频性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
7-羟基-4-甲基香豆素的倍频性能研究周为群(苏州大学生物技术学院苏州215151)曹阳(苏州大学化学化工学院苏州215006)关键词二阶极化率7-羟基-4-甲基香豆素SHG效应倍频材料中图分类号O734.1从七十年代至今,人们对探究有机倍频材料已作...  相似文献   
7.
黎明  曹阳  艾勇 《光子学报》2014,38(9):2325-2329
为了抑制空间光通信中大气湍流效应和降低误包率,提出了一种引入分布式多出多入技术,基于数字脉冲间隔调制的多出多入空间光通信系统.在弱湍流信道模型和APD探测器下建立了多出多入系统链路模型,推导了最大似然检测下的最佳阈值和误包率.计算结果表明:发射分集通过多路径传输平滑接收信号光强起伏|接收分集增加孔径平滑效应,减弱接收光强起伏|在发射平均功率、接收孔径总面积和背景噪音相同的条件下,数字脉冲间隔调制的不同多出多入系统存在几乎相同的最佳雪崩光电二极管增益|比较多出多入通信系统下三种调制方式,数字脉冲间隔调制的误包率较少劣于PPM调制而大大优于OOK调制.  相似文献   
8.
曹阳  陈莹婷 《计算数学》2020,42(1):51-62
最近,Bai和Benzi针对鞍点问题提出了一类正则化HSS(Regularized Hermitian and skew-Hermitian splitting,RHSS)预处理子(BIT Numer.Math.,57(2017)287-311).为了进一步分析RHSS预处理子的效果,本文重点研究了RHSS预处理鞍点矩阵特征值的估计,分析了复特征值实部和模的上下界、实特征值的上下界,还给出了特征值均为实数的充分条件.当正则化矩阵取为零矩阵时,RHSS预处理子退化为HSS预处理子,分析表明本文给出的复特征值实部的界比已有的结果更精确.数值算例验证了本文给出的理论结果.  相似文献   
9.
基于OWDP的IP网络性能实时监测系统设计与实现   总被引:4,自引:0,他引:4  
针对传统的RTDP(往返时延与丢包协议)网络性能测量方法及ping探测方法的不足,设计并实现了一种基于OWDP(单路时延与丢包协议)的新型单路网络性能测量系统。该系统研究网络流量特点和测试流的发送规律,综合考虑了安全策略因素,最后的实验结果表明,系统具有良好的可扩展性,适合对大规模的网络进行实时监测。  相似文献   
10.
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解,锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜,用俄歇能谱证明,其主要成分为难溶的氧化锑,此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀,同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱,通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察,在刻蚀剂中添加酒石酸,柠檬酸和氢氟酸等试剂,可使刻蚀形得改善,实验研究了锑化镓的平带电势的测定。  相似文献   
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