遗传λ-Lindel(o)f性和遗传λ-可分性

函数空间的遗传λ-Lindel(o)f性质和遗传λ-可分性质被讨论,得到了一些结果.一些是P.Zenor的某些的推广.从而加深了对函数空间的遗传λ-Lindel(o)f性质和遗传λ-可分性质的认识,推动了对函数空间的遗传λ-Lindel(o)f性质和遗传λ-可分性质的讨论.     

遗传λ-Lindelf性和遗传λ-可分性

函数空间的遗传λ-L indelf性质和遗传λ-可分性质被讨论,得到了一些结果.一些是P.Zenor的某些的推广.从而加深了对函数空间的遗传λ-L indelf性质和遗传λ-可分性质的认识,推动了对函数空间的遗传λ-L indelf性质和遗传λ-可分性质的讨论.     

6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明：温度为296 K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×104 V/cm处偏离线性区,5.0×105 V/cm处达到饱和.由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×107 cm/s,纵向为6.0×106 cm/s,各向异性较为显著.当电场小于1.0×106 V/cm时,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小.另一方面,高场下电子平均能量的各向异性非常明显.电场大于2.0×105 V/cm时,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大.当电场一定时,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大.对非稳态高场输运特性的分析表明：阶跃电场强度为1.0×106 V/cm时,电子横向瞬态速度峰值接近3.0×107 cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.     

抽象函数空间的连续小波变换和微分方程

主要讨论了抽象函数的某些微分方程和相应的积分方程之间的关系;通过连续小波变换将这些微分方程能够转换为相应的积分方程;这些微分方程和相应的积分方程在弱收敛意义下是等价的.     

SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟

利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为10×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近33×107cm·s^-1,6H Sic接近30×107cm·s^-1.