退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。     

旋光性与电光效应交互作用及其对旋光晶体电光Q开关的影响

研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用、以及此交互作用对 旋光晶体电光Q开关的影响. 关键词： 旋光性 电光效应 电光Q开关 3Ga₅SiO₁₄晶体')" href="#">La₃Ga₅SiO₁₄晶体     

“活性炭的吸附作用”和“氯化铵的分解”实验的改进

对中山大学、辽宁大学等校编的“无机化学实验”中两个实验的改进：课本第130页,装置接头较多,易造成漏气,改用以下装置,现象明显,且节省试剂。     

退压式La_3Ga_5SiO_(14)晶体电光调QNd∶YAG激光器激光性能研究

通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin 2ω-Ccos 2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd∶YAG晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。     

测定阿佛加德罗常数的简易方法

一、实验原理一定质量(WMg)的金属镁与过量的稀硫酸反应,置换出的氢气的体积为VH2。量气管内所收集的氢气是被水蒸气所饱和的,故量气管内的气压P(等于大气压力),是氢气的分压PH2与实验温度t℃时饱和水蒸气的分压PH2O的总和。     

KIO3晶体折射率和倍频系数的测量

首次测量了无孪无畴的KIO_3晶体的主折射率和倍频系数.     

区间数互反矩阵几何加权集成多属性群决策方法

研究了属性值以区间数表示的群决策问题,提出了区间数决策向量转化为互反判断矩阵的公式,定义了区间数互反判断矩阵几何加权集成算子.在此基础上,提出了区间数多属性群决策的新方法.方法首先针对每一个属性,将各决策者、各方案对应此属性的区间数向量转换为互反判断矩阵,由新定义的集成算子进行集成.由集成区间数矩阵的上界、下界矩阵计算各方案关于此属性的排序向量.由属性权重、可能度和排序公式对方案进行排序.最后给出一个实例进行分析,结果表明了此方法的实用性和可行性.     

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。     

BaWO4多晶料的合成与优质单晶的生长

以99.99;的BaCO3和WO3为原料通过固相反应直接合成BaWO4多晶料,采用提拉法沿a轴和c轴均可生长出φ22mm×80mm的无色透明的BaWO4单晶.X射线粉末衍射实验确定所获BaWO4晶体的结构属于四方晶系,空间群I41/a.通过浮力法测得其密度为6.393g/cm3.用莫氏硬度计测得BaWO4晶体的莫氏硬度为4.用V型棱镜法测得BaWO4晶体的折射率在1.84左右.