AB5型非化学计量贮氢合金电极过程动力学研究

为了探明取代元素对非化学计量AB5型贮氢合金氢化物电极充放电性能的影响因素,对LaNi5.15,La(NiSn)5.14,La(NiSnCo)5.12,La(NiSnMn)5.12和La(NiSnCoMnAl)5.10开展了电极过程动力学的研究。采用线性极化的方法,控制电极过电势小于5mV,测量出不同荷电容量下电化学反应的交换电流密度。电极在满充电状态下i0并非最大,当电极部分放电后该值达到最大。对Co,Mn或Al部分取代形成的非化学计量多元贮氢合金的交换电流密度研究表明,Co有利于提高i0,而Mn和Al不利于提高i0。当氢化物电极中贮氢容量较小时,电极反应的交换电流密度与电极中贮氢容量存在对数值的线性关系。对于具有几乎一致的电极反应电子传递系数β的La(NiSn)5.14,La(NiSnCo)5.12,La(NiSnMn)5.12,La(NiSnCoMnAl)5.10氢化物电极,造成交换电流密度差异来源于热力学吸附平衡常数K0与反应活化能W0。含Al贮氢合金K0较低,这是影响交换电流密度的主要因素。对K0值接近的3种贮氢合金La(NiSn)5.14,La(NiSnCo)5.12,La(NiSnMn)5.12,活化能W0是造成交换电流密度不同的主要原因。     

特质波动率与股票收益——基于Fama-French五因子模型的研究北大核心CSCD

股票收益与风险之间的关系一直以来都是金融学理论研究的核心问题.近年来,针对股票收益与特质风险之间的关系的研究受到了越来越多的学者的关注.在有效市场的理论下,通过构建多样化投资组合,投资者可以分散公司的特质风险,使组合收益更多的与市场风险相关.然而由于投资者之间信息不对称、市场政策差异化、资金成本不均衡等因素的影响,往往无法构建其目标组合,于是无法分散的特质风险就会在一定程度上影响股票收益.该文章以沪深A股自2000年1月4日至2015年12月31日共计3871个交易日的日收益率数据作为研究样本,通过滚动窗口分析的方法,以最新的五因子模型为切入点,研究发现了在中国股票市场中特质波动率与股票收益之间的负相关关系,并通过构建高特质风险与低特质风险股票组合进一步发现特质波动率与收益之间的负相关关系在经济意义上显著.     

Influence of Rapid Thermal Annealing on the Structure and Electrical Properties of Ce-Doped HfO2 Gate Dielectric

Ce-doped Hf02 （HfCeO） films are prepared by radio-frequency magnetron sputtering. The influences of rapid thermal annealing on the structure and electrical properties of HfCeO films are investigated. The results show that the incorporation of Ce into Hf02 increases the crystallization temperature of Hf02, and the cubic phase of Hf02 can be stabilized by incorporating Ce into Hf02. After high temperature annealing, Hf 4f core level spectra shift to a higher energy, whereas O 1s core level spectra shift to a lower energy. With increasing annealing temperatures, the effective permittivity increases, whereas the flat-band voltage shift and effective oxide charge density decrease. Moreover, the leakage current density of the HfCeO films decreases initially, and then increases as the annealing temperature increases.     

双重加热法合成碳化硅晶须的研究

本文给出了一种低成本、适用于大批量生产碳化硅晶须的新方法,以炭黑和SiO2微粉为原料对用双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究.研究表明,利用双重加热技术可以在较低合成温度1300℃下、较短合成时间1.5h内得到平均直径为0.3μm、长度为10～40μm、生成率达81;的碳化硅晶须.