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单谐振腔外部Q值的计算方法 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对带有耦合器的单驻波腔进行等效电路分析,推导出可计算带有耦合波导的单谐振腔外部Q值的反射相位法,该方法通过计算不同频率的反射相位来确定谐振频率和外部Q值。详细叙述了在CST Microwave Studio中用谐振模式求解法、直接时域跟踪法和反射相位法进行计算的步骤;用这3种方法分别计算了二次发射微波电子枪的外部Q值并和实验测量结果做了比较。结果显示3种计算方法都有很高的精度,但反射相位法的速度最快,耗时1 071 s。计算发现外部Q值与耦合口长度的4.1次方成反比。 相似文献
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Hermite插值多项式在不同基下的显式表示 总被引:5,自引:0,他引:5
本利用对偶基的概念,导出了Hermite插值多项式在不同基下的显式表示,这给人们对Hermit插值多项式在不同基下从一种表示转换到另一种表示带来极大的方便。 相似文献
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介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。 相似文献
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本文利用对偶基的概念,导出了 Herm ite 插值多项式在不同基下的显式表示,这给人们对 Herm it插值多项式在不同基下从一种表示转换到另一种表示带来极大的方便 相似文献
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