区熔硅中质子注入缺陷的EPR研究

在质子注入的n型区熔硅中,电子顺磁共振(EPR)测量观察到一个新的缺陷,命名为Si-PK5.该缺陷具有以〈111〉为对称轴的三角对称,其顺磁参数为S=1/2,g_∥=2.0078,g_⊥=2.0174.根据Lee和Corbett 以及Sieverts 提出的缺陷分类法,Si-PK5属键心间隙型结构.此外,还观察到两个文献已报道过的缺陷:Si-S1和Si-S2. 对Si-S2,首先看到由²⁹Si核引起的超精细分裂.