深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

定位锌结晶釉的析晶动力学分析

本文以ZnO作为定位结晶剂在1100℃下制备了ZnSiO3结晶釉,测试了其在不同析晶保温时间下釉面晶花大小,并根据结晶动力学理论,对结晶釉中ZnSiO3晶花的生长规律和结晶机理进行了分析探讨.结果表明:当析晶保温时间超过30 min,晶花的形成速率随时间增加而显著提高,并在45 min到60 min范围内达到最大值;当析晶保温时间超过90 min,晶花形成速率随时间增加而快速下降,并在析晶保温时间超过150 min后,晶花基本上不再生长,形成速率达到稳定值.采用ZnO作定位晶种的釉面结晶稳定性好,釉面晶花大小与析晶保温时间符合S型生长曲线关系,可用Logistic函数拟合,本研究为实现锌结晶釉的可控生长提供了参考.