高掺镁铌酸锂晶体的生长和倍频性能

我们通过测定MgO在同成分LiNbO₃中的有效分凝系数、相位匹配温度与MgO浓度之间的关系,找到了使Mg:LiNbO₃晶体的相位匹配温度达到最高的掺MgO配方,并克服了Mg:LiNbO₃晶体在高掺杂生长时易出现生长条纹和脱溶等问题,从而生长出了抗光折变能力强,光学均匀性良好的Mg:LiNbO₃晶体。用于连续泵浦Nd:YAG声-光调Q腔内倍频时,获得了平均功率最高达2瓦的二次谐波输出。 关键词：     

关于图的余树的奇连通分支数的内插定理

本文研究了连通图的余树的奇连通分支数与其可定向嵌入的关系.我们先给出了关于连通图的余树的奇连通分支数的内插定理.作为其应用,我们推广了Xuong和刘彦佩关于图的最大亏格的计算公式,并且证明了如下结果:任意一个连通图G一定满足下列条件之一: (a)对于任意的满足γ(G)≤g≤γM(G)整数g,只要图G嵌入到可定向曲面Sg上,就存在支撑树T,使g-1/2β(G)-ω(T)),其中,γ(G)与γM(G)分别是图G的最小和最大亏格,β(G)与ω(T)分别是图G的Betti数和由T确定的余树的奇连通分支数; (b)对连通图G的任意一个支撑树T,G可以嵌入某个可定向曲面上使其恰好有ω(T) 1个面.特别地,我们给出了所有非平面的3-正则的Hamilton图G所嵌入的可定向曲面的亏格的计算公式.