首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   40篇
  免费   22篇
  国内免费   25篇
化学   44篇
力学   5篇
数学   6篇
物理学   32篇
  2023年   2篇
  2021年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   3篇
  2016年   2篇
  2015年   4篇
  2014年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   1篇
  2010年   4篇
  2009年   3篇
  2008年   11篇
  2007年   4篇
  2006年   6篇
  2005年   6篇
  2004年   2篇
  2003年   3篇
  2002年   6篇
  2001年   1篇
  2000年   4篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1995年   1篇
  1994年   2篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   3篇
  1985年   1篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有87条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.  相似文献   
2.
南京大学化学系受教育部的委托,于1983年6月17日—23日在南京主持召开了高等院校理科《无机及分析化学,教学经验交流会。出席会议的有来自全国25所综合性大学和高等师范院校的代表三十余人,人民教育出版社也派代表参加。  相似文献   
3.
镓在裸Si系和SiO2/Si系掺杂效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
Based on the diffusion action of gallium in silicon and SiO2 ,a diffusion model of gallium doping in bare silicon system and SiO_2/Si system is first presented in this paper ,the gallium doping effect in the two systems is analyzed theoretically. Experiments and applications have proved that the use of the open-tube gallium deffusion in SiO2/Si system can substantially improve diffusion quality and device characteristics .  相似文献   
4.
顶空气相色谱法测定瑞替加滨原料药中残留溶剂   总被引:1,自引:0,他引:1  
建立了测定瑞替加滨原料药中残留溶剂乙醇、正己烷、四氢呋喃、三乙胺的顶空气相色谱方法。采用氢火焰离子化检测器,以N,N-二甲基甲酰胺为样品溶剂,通过对色谱条件优化,建立了以DB-624为分析柱、110℃为平衡温度、15 min为平衡时间的残留溶剂测定方法。经方法学验证,上述4种溶剂的方法检出限依次为0.007 5%、0.000 48%、0.002 4%、0.01%;峰面积的相对标准偏差均小于2.1%;平均回收率为100%~102%;4种溶剂的线性系数均大于0.995。结果表明,该方法的检测灵敏度高、精密度好、准确度高、线性关系良好,能够满足对瑞替加滨质量的控制要求。将该方法应用于3批瑞替加滨原料药的残留溶剂检测,均只检出乙醇和正己烷,且乙醇和正己烷的最高残留量分别为0.149%和0.022%,均未超出限量规定。  相似文献   
5.
β-环糊精与水杨酸包合物的合成与结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
樊志  刁春华  宋海斌  景作亮  郁铭  陈鑫  郭敏杰 《化学学报》2007,65(15):1449-1453
合成了β-环糊精与水杨酸的包合物b-cyclodextrin-salicylic acid (β-CD-sal) [(C42H70O35)2•(C7H6O3)2•(H2O)24], 用X射线单晶衍射、元素分析和核磁共振对其分子结构进行了表征. X射线单晶衍射结果表明: 包合物的晶体属于单斜晶系, 空间群为C2, a=1.9269(5) nm, b=2.4395(7) nm, c=1.6095(4) nm, β=107.816(5)°, V=7.203(3) nm3, Z=4, Dc=1.373 g•cm-3, F(000)=3176, R[I>2σ(I)]=0.0971. 在形成的2∶2包合物中, β-环糊精通过羟基间的氢键形成头对头的二聚体, 两个水杨酸分子以不同的形式与环糊精形成包合物, 其中一个水杨酸分子寄居于环糊精的空腔中, 而另一个水杨酸则位于由两个环糊精形成二聚体的空隙中.  相似文献   
6.
韩聪  徐喆  刁春华  陈鑫  刘靖  郭敏杰  樊志 《化学学报》2013,71(3):439-442
利用单-(6-氧-对甲基苯磺酰基)-β-环糊精和2-呋喃甲硫醇反应得到单修饰环糊精, 单[6-硫-6-(2-甲基呋喃)]-β-环糊精. 通过X-ray衍射分析及核磁光谱等方法研究了其在溶液和固态中形成线状超分子的分子自组装行为. 结果表明, 化合物在固态中通过呋喃基团从第二面羟基连续插入到另一个环糊精的空腔, 形成了互锁式螺旋柱状超分子, 而且在溶液中也显示了相似的自组装行为, 其键合常数K及聚合度n分别为450 mol-1·L和1.9.  相似文献   
7.
羟自由基在电极电解过程中的形成规律   总被引:8,自引:0,他引:8  
对钛基二氧化铅电极电解过程中产生的·OH进行了定量研究.结果表明,钛基二氧化铅电极在适当的电解条件下可以产生大量的自由基,碱性和高频条件下产生的自由基比酸性和低频条件下产生的自由基多.苯酚降解实验结果说明了其极强的氧化性能,在废水的深度处理方面有着极其广阔的应用前景.  相似文献   
8.
磁头/磁盘滑动接触下磁盘温度及热退磁临界条件的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用二维轴对称有限元模型计算磁头/磁盘滑动接触下,铝质磁盘的稳态温度和热应力场以及热退磁临界条件.结果表明:磁盘温度在极短时间内升至摩擦稳态值,然后缓慢线性升高到最终稳态值;经过充分热传导和热交换后磁盘的温度梯度较小,此时磁层内的热应力集中分布于磁盘固定端边缘附近;磁盘的稳态温度和热应力均随速度增大而增大,且载荷越大其值增大越快;热应力小于1.2 GPa时所对应的速度和载荷为安全工况;温升大于373 K时所对应的工况将导致磁盘退磁.  相似文献   
9.
This paper reports that/3-Ga2O3 nanorods have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films on a V middle layer deposited on Si(111) substrates. The synthesized nanorods were confirmed as monoclinic Ga2O3 by x-ray diffraction,Fourier transform infrared spectra. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy reveal that the grown β-Ga2O3 nanorods have a smooth and clean surface with diameters ranging from 100 nm to 200 nm and lengths typically up to 2μm. High resolution TEM and selected-area electron diffraction shows that the nanorods are pure monoclinic Ga2O3 single crystal. The photoluminescence spectrum indicates that the Ga2O3 nanorods have a good emission property. The growth mechanism is discussed briefly.  相似文献   
10.
在可能有可燃气体的场所都装有报警仪.当空气中所含可燃气体达一定浓度时,报警仪及时呼叫,告之人们应及时采取措施,避免发生爆炸导致严重灾难.可靠性是报警仪十分重要的产品指标.浙江宁海无线电厂生产的报警仪是采用载体摧化技术制作的,其核心部分是传  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号