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2.
利用关于乘积分布密度的相对熵和相对熵率的概念,建立了相依连续型随机变量序列关于参考微分熵的一类强偏差定理,证明中给出了将Laplace变换应用于微分熵强偏差定理的研究的一种途径. 相似文献
3.
4.
摘要:为了研究冶炼厂下风向烟囱降尘对农田土壤重金属污染影响程度,以济源市某一冶炼厂工业烟囱下风向降尘覆盖农田土壤为研究对象,依次对距离该厂烟囱大约为750m-3000m的7个农田研究区(P1-P7)土壤中重金属(Hg、As、Pb、Cd、Cu、Zn、Ni、Cr、)含量进行污染状况分析,采用了单项潜在生态风险指数法和综合潜在生态风险指数法对冶炼厂下风向烟囱降尘土壤中重金属的潜在生态风险进行评价。结果表明:在3 km2研究区域范围内,距离冶炼厂越近土壤重金属含量越高,Pb、Cd为重度污染,超过了《土壤环境质量农用地土壤污染风险管控标准》(GB15618-2018)农用地土壤污染风险管制值的1.2倍,距离冶炼厂烟囱下风向P1区土壤中重金属As、Pb、Cd、Cu、Zn超过土壤环境质量农用地土壤风险筛选值,Cd 在浓度值均超过农用土壤污染风险管制值1.8倍,As元素平均浓度值超农用土壤污染风险管制值1.7倍,Pb、Cu和Zn污染较严重,Cd、Hg对综合指数(RI)贡献值较大分别为68.63和22.4。单项潜在生态风险指数评价结果显示Cd存在极严重的潜在生态风险,Pb、Cu存在较严重潜在生态风险,冶炼厂下风向土壤中综合潜在生态风险指数评价显示,冶炼厂下风向降尘土壤重金属具有较强的生态风险。 相似文献
5.
水煤气变换反应(WGSR)是制备高纯氢的重要反应之一,一直是人们的研究热点.以Pt为代表的贵金属催化剂,在低温条件下表现出优异的WGSR活性.其中, Pt可还原性氧化物界面往往被认为是水煤气变换反应最高效的活性位点.然而,由于缺乏直接的光谱证据,该界面处的水煤气变换反应分子机理仍然存在争议.本文通过制备具有三元核壳结构的Au@Pt@NiO纳米结构,在具有高表面增强拉曼效应的Au纳米颗粒表面构建了丰富的Pt-NiO界面,成功实现了Pt-NiO界面处WGSR过程及其关键中间物种的原位表面增强拉曼光谱(SERS)研究.通过控制镍前驱体的量,结合透射电镜和元素面扫描表征,制备了一系列具有不同NiO壳层厚度的Au@Pt@NiO纳米结构.以CO作为探针分子,利用原位SERS表征,当镍前驱体添加量为0.05 mL时,可以同时得到Pt-C以及Ni-O的拉曼信号,说明此时NiO是以岛状形式沉积于Au@Pt表面,从而构筑出丰富的Pt-NiO界面.原位SERS测试结果表明,当将此Au@Pt@NiO纳米粒子置于WGSR气氛时,随着反应温度的升高,在1065 cm-1处出现了碳酸根物种的拉曼信号.而当将Au@P... 相似文献
6.
采用电化学沉积法在Ti基底上制备了复合电极Ti/α-PbO2/β-PbO2,扫描电镜结果表明电极呈现由β-PbO2小晶体组成的菜花状微观形貌.所制电极在电化学降解环境污染物2-氯酚时表现出较高的电催化效率、较好的电极稳定性和较长的电极寿命.用正交实验优化了电化学降解2-氯酚的实验条件.在最优的实验条件(2-氯酚初始浓度50 mg/L,电解质0.1 mol/L Na2SO4,温度35oC,阳极电流密度20 mA/cm2)下电化学降解180 min后,2-氯酚的去除率达100%.动力学结果表明, Ti/α-PbO2/β-PbO2电极上2-氯酚的电化学氧化符合准一级动力学过程. 相似文献
7.
In this study, a novel H-bonded cholesteric polymer film responding to temperature and pH by changing the reflection color was fabricated. The H-bonded cholesteric polymer film was achieved by UV-photopolymerizing a cholesteric liquid crystal (Ch-LC) monomers mixture containing a photopolymerizable chiral H-bonded assembly (PCHA). The cholesteric polymer film based on PCHA can be thermally switched to reflect red color from the initial green/yellow color as temperature is increased, which is due to a change in helical pitch induced by the weakening of H-bonded interaction in the polymer film. Additionally, the selective reflection band (SRB) of the cholesteric polymer film in solution with pH > 7 showed an obvious red shift with increasing pH values. While the SRB of the cholesteric polymer film in solutions with pH = 7 and pH < 7 hardly changed. This pH sensitivity in solutions with pH > 7 could be explained by the breakage of H-bonds in the cholesteric polymer film and the structure changes induced by―OH and―K + ions in the alkaline solution. In contrast, it couldn’t happen in the neutral and acidic solutions. The cholesteric polymer film in this study can be used as optical/photonic papers, optical sensors and LCs displays, etc. 相似文献
8.
首次研究了二乙胺分子的多光子电离过程。实验是在无碰撞的高真空状态下进行的,用飞行时间质谱仪获得了染料激光器在464-486nm波段的二乙胺分子MPI质谱(MS)。母体离子由经(nN,3s)里德堡态的(2+2)共振增强多光子电离(REMPI)产生。各种离子强度体随激光波长和强度的变化表明,碎片离子阶梯模型产生了二乙胺分子MPI的碎片离子分布。 相似文献
9.
10.
Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with continuous electron accumulation layer
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A new ultra-low specific on-resistance(Ron,sp) vertical double diffusion metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(VDMOS) with continuous electron accumulation(CEA) layer, denoted as CEA-VDMOS, is proposed and its new current transport mechanism is investigated. It features a trench gate directly extended to the drain, which includes two PN junctions. In on-state, the electron accumulation layers are formed along the sides of the extended gate and introduce two continuous low-resistance current paths from the source to the drain in a cell pitch. This mechanism not only dramatically reduces the Ron,sp but also makes the Ron,sp almost independent of the n-pillar doping concentration(Nn). In off-state, the depletion between the n-pillar and p-pillar within the extended trench gate increases the Nn, and further reduces the Ron,sp.Especially, the two PN junctions within the trench gate support a high gate–drain voltage in the off-state and on-state, respectively. However, the extended gate increases the gate capacitance and thus weakens the dynamic performance to some extent. Therefore, the CEA-VDMOS is more suitable for low and medium frequencies application. Simulation indicates that the CEA-VDMOS reduces the Ron,sp by 80% compared with the conventional super-junction VDMOS(CSJ-VDMOS)at the same high breakdown voltage(BV). 相似文献