研制GaAs—双结型恒流源二极管的可行性分析

本文提出了一种新的GaAs-(P~+n-i-Pn_+)结构的恒流源二极管,论述了它在高反编压下输出恒定电流的原理,从材料和工艺方面论述了它的可行性,同时,给出了输出恒定电流的近似表示式。     

GaP-LED磁致消光效应

本文介绍了测量GaP—LED发光强度随磁场强度变化曲线的实验,实验发现,LED的发光强度下降,此现象称为LED的磁致消光效应,并由此推论出在磁场中半导体中的激子辐射复合发生衰减。