新型稀土电子输运材料Tb(AcA)3·phen

Kido等人在文献[1]中报导,在研究有机电致发光(OEL)器件时发现,斓系化合物不能很好地传输载流子.但是,我们在实验中却现Tb(AcA)3phen·不仅是一种很好的OEL发射材料.而且具有很强的电子输运能力.     

晶体场理论引论(七)(八)

实验上发现晶体中稀土离子的光谱大部分来自4fN组态内电子的跃迁,多数具有电偶极跃迁的性质。对自由离子来说,宇称选择定则要求电偶极跃迁只能发生在不同宇称的能级之间。因此4fN组态内的电偶极跃迁是禁戒的。为了解释晶体中稀土离子4fN组态的电偶极跃迁,必须假设有某种非中心对称的相互作用,使4fN组态的态和具有相反宇称的态混杂,从而产生电偶极跃迁。     

晶体场理论引论

晶体场中能级的分裂和选择定则(2—1)晶体场中能级的分裂 我们要研究的问题是:若离子在具有G群对称性的环境里有能级E1、E2…Ei…,若对称性退化为G群的子群G′后,能级Ei将怎样分裂? 根据(1—3)我们知道能级Ei的本征函数ψ1i、ψ2i…ψji…必定构成G群的某一个不可约表示的Γn的基函数。他们的变换矩阵Γni(R)就是组成不可约表示Γn的矩阵。相应的特征标为xni(R)。     

用非相干光时间延迟四波混频测量甲酚紫皮秒布居弛豫时间

用相共轭配置的非相干光时间延迟四波混频技术测量了甲醇中甲酚紫的皮秒布居弛豫时间T_1大约为157ps.这个结果与用相干光锁模脉冲的泵浦—探测技术测得的结果符合得比较好.     

用光谱烧孔研究卟啉掺杂的高分子薄膜中电子－声子的相互作用

本文对电子给体、受体双掺杂在高分子薄膜中形成的光谱烧孔体系，做温度循环实验，研究体系中电子－声子的相互作用，得到了表征电子－声子耦合强度的黄昆因子和薄膜中局域振动的声子频率．     

BaFCl_（x）Br_（1－x）：Sm~（2＋）中_（5）D_2→~（7）F_

本文以ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率随ｘ变化为中心对ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋体系４ｆ５ｄ带的激发光谱、５Ｄ２→７Ｆ０跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、５Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率等进行了研究．从而得出结论：在ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ２＋中，随Ｂｒ含量的增大，４ｆ５ｄ带与５Ｄ２能级更加接近，使７Ｆ０→Ｄ２的吸收截面增大，从而可能提高在５Ｄ２：能级烧孔的效率．     

含ZnS∶Mn~(2+)纳米晶玻璃中Mn~(2+)三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋ 不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量， 发现Ｍｎ 离子可能占据替位（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ 和间隙（Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ两种格位． 进一步的电子顺磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍ ａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ， ＥＰＲ）实验证实了这一判断， 并从ＥＰＲ谱确认（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ， （Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ和Ｍｎ 团三种格位态的存在． 观测到ｇ 因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增大． 这可能是由于量子限域效应下ＺｎＳ的ｓｐ３ 和Ｍｎ 的３ｄ５ 电子态杂化和表面态所引起的．     

MyM′1-yFClxBr1-x:Sm2+的电子跃迁过程和光谱烧孔效率

通过测量无机光谱烧孔系列材料MyM′_1-yFCl_xBr_1-x:Sm²⁺（Ｍ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）中４ｆ５ｄ带的激发光谱随组分ｘ和ｙ的变化，⁵Ｄ_J—⁷Ｆ₀（Ｊ＝２，１，０）跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化，对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究．得出结论：在此系列材料中，随着Ｂｒ含量和小半径的碱土离子的增加，Ｓｍ相似文献   

发光中心的对称性(群论的应用)(续)

2 群的表示和晶体场中能级的分裂 (2.1)群的矩阵表示 图8中AEBGDFCH是正立方体,x轴,y轴和z轴分别平行于立方体的三条棱。原点O和立方体的重心重合。ABCD构成一正四面体。在上节例2中,A点为Cl~(1-)离子、B、C、D点为S~(2-)离子,Zn~(2+)离子空位在原点O。Zn~(2+)空位具有对称元素C_3轴AO,对称操作:C_3,C_3~1。对称面σ_(AD)、σ_(AB)、σ_(AC)分别产生对     

ZnS:Er3+的激光选择激发—一种立方对称Er3+中心

本文首次报导了用激光选择激发技术研究Ⅱ-Ⅵ族化合物中三价稀土离子中心的结果.用激光选择激发技术分辨出ZnS:Er3+中一种具有立方对称的中心,确定了基态和激发态的晶场分裂。根据点电荷模型计算和实验结果,该中心的结构是Er3+离子处于填隙位置,最近邻配位体是四个带正一价电荷的电荷补偿离子.该中心的发射光谱中发现由于发射局域声子产生的声子伴线。