WO3掺杂的La2/3Sr1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3＋xWO3（x=0～25％）系列多晶陶瓷样品．结果表明。随着WO3掺杂量的增加，样品的电阻率增大，金属-绝缘体相变温度（Tp）值下降．在1．4T磁场下，当0≤x≤12．5％时，样品的室温磁电阻值从5％增大到15％，提高了200％．当12．5％〈x≤25％时，室温磁电阻值从15％降低到0．这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据．     

古诗词“意境”在中学物理“情境化”教学中的应用探讨

古诗词是古代劳动人民认识自然、改造自然过程中认知水平的一种浪漫的智慧结晶,既写实又超越自然.诗词中体现的意境,是真实情境的一种文学表达,蕴藏着丰富的物理知识.从中学物理教学角度,探究了物理教学中应用古诗词“意境”的人本主义和建构主义学习理论依据.并在此基础上,从物理学科教学目标达成和情境化教学方式实施角度,具体分析了“弹力”“光的反射”两个知识点教学中引入古诗词进行辅助教学的实现过程及达到的三维目标.     

表面弛豫效应对界面区域CBED的影响

对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决CBED法测量界面应变场时遇到的表面弛豫效应问题是有意义的。     

电解解离氢键层层组装薄膜

利用电解解离的方法研究层层组装氢键复合薄膜聚(2-乙基-2噁唑啉)/聚丙烯酸(PEOX/PAA)的解离行为,将制备在导电氧化铟锡玻璃(ITO)上的薄膜放置于电解池的正极进行解离,得到均匀平坦而非粗糙的薄膜。通过衰减全反射(ATR)和循环伏安法(CV)的分析说明,引起氢键薄膜解离的是正极附近形成的pH梯度区间,该区间靠近电极呈酸性、远离电极呈碱性。此外,对比薄膜在电解池正负极的解离行为,进一步证明正负极附近形成的不同pH梯度区间将导致薄膜解离形貌和厚度差异的产生。电解液的pH以及电解电压均影响氢键薄膜在正极的解离行为,通过分析提出了一个较为适宜的电解解离条件。     

高速公路拼接段地基处理设计分析方法与工程实践

针对新、老高速公路拼接段的两种拼接型式——直接拼接和分离拼接 ,对新建路基实施拼接后 ,以超载形式引起已建高速公路产生的附加沉降的不良影响进行研究 ,选择了造价低、施工方便的沉降隔离墙方案。应用土体固结非线性有限元法 ,对锡澄与沪宁高速公路拼接段中的隔离墙在工程中所起的作用进行数值模拟 ,计算分析表明 ,隔离墙的存在可有效地减少锡澄高速公路拼接后对沪宁高速公路主线中心的附加沉降量。     

掺杂TiO2的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过固相反应法制备了(1-x)La2/3Ba1/3MnO3 xTiO2(x=0％～5％)多晶陶瓷样品，实验发现，随着TiO2掺杂量的增加，电阻率明显增大，金属绝缘相转变温度Tp值下降．通过室温(300K)和低温(78K)下不同磁场的磁电阻计算表明，适量的TiO2掺杂会明显提高材料的磁电阻性能；在1T磁场下，TiO2掺杂量为1％的样品室温磁电阻达到12％，这是未掺杂La2/3Ba1/3MnO3相同条件下的3倍，为磁电阻传感器研究提供了实验依据。     

庞磁电阻材料Sr_2FeMoO_6的性能及其穆斯堡尔谱研究

应用传统的陶瓷制备方法 ,制备了烧结温度分别为 12 0 0℃和 12 5 0℃的双钙钛矿结构庞磁电阻(GMR)材料Sr2 FeMoO6样品 通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究 ,发现较低温度烧结的样品晶粒相对较小而磁阻较大 ,从而暗示晶界上的自旋极化电子对磁电阻效应有明显贡献 同时 ,通过观察不同温度下的穆斯堡尔谱 ,看到了晶界上Fe离子磁状态的改变 ,这从另一角度证实晶界上的载流子散射是室温下电阻产生的主要原因 ,而晶粒之间自旋极化电子的跳动受到外加磁场的影响 ,产生了磁电阻效应     

WO3掺杂的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

在溶胶-凝胶法制备的La2/3Ba1/3MnO3（LBMO）微粉中掺入WO3，制备了La2/3Ba1/3MnO3＋xWO3（x=0～0．20）多晶陶瓷样品．实验发现，随x增加，样品的电阻率增加，金属-绝缘相变温度（Tp）由340K下降到26lK，在1T的磁场下，当0〈x≤0．05时，样品的室温磁电阻迅速上升，从4％增加到10．5％，当0．05〈x≤0．10时，样品的室温磁电阻从10．5％增加到11．5％，上升速度明显放缓，当0．10〈x≤0．20时，样品的室温磁电阻从11．5％降低到2％，这为磁电阻器件研究提供了实验依据．     

晶体与电极位置失配对声光移频器性能的影响研究

为了提高声光移频器的性能,对其内部声光晶体(AOC)和压电超声换能器(PZT)电极之间的位置失配特性进行研究,并深入分析AOC和PZT电极之间几类不同的几何装配错位关系.通过构造AOC与电极失配的三维有限元模型,在不同轴向装配错位的条件下对AOC中的超声波声场进行仿真分析.根据超声波的声场分布特性,可以发现几何装配错位会导致AOC内部形成不发生声光相互作用的区域,并揭示此区域长度与错位量的关系.通过分析声光相互作用区与不发生声光相互作用区之间的光学界面,发现位置失配会在输出光中发生双光束干涉效应,其对实际光学系统的输出会产生影响.基于双光束干涉原理搭建一种测量不发生声光相互作用区域长度的实验系统,所得结果证明理论分析的合理性.