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针对Si,GaAs半导体晶片中金属杂质玷污的问题,本文提出了紫外光致荧光谱的检测方法。常温下,晶片中的Fe,Ni杂质玷污可产生紫外特征荧光峰。这种新的检测方法是非破坏性的,并适用于φ76.2mm,φ100mm大圆片的直接检验,而且具有较高的检测灵敏度。 相似文献
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本文介绍一种可以用来剖析大规模集成电路芯片上多层薄膜分布的“镜面磨角—干涉显微镜”观测法。膜间界面比较清楚,使用国产6JA型干涉显微镜,可以拍照得到清晰的显微图象,能够以270A°的精度检测薄膜的厚度,还可以测出厚膜的平均折射率。文中给出了实验照片。 相似文献
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对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱(SIMS)分析,发现热氧化硅内表面的氧含量高达1020/cm3数量级。经过热氧化的硅与氧注入硅的表面都清楚地显示出一种电化学染色效应。最后,讨论了氧施主界面态问题。 相似文献
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用XCD-H红外电视测微显微镜,通过无损检测来评价半导体材料与器件工艺的质量。本文仅对材料的完整性与芯片制造工艺导致杂质沉淀的问题进行讨论。 相似文献
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薄膜应力快速测量系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用激光干涉原理CCD摄像,计算机处理技术实现快速测量薄膜的应用。 相似文献
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